[發明專利]一種存儲方法及裝置

有效

• 申請號: 201410305562.7
• 申請日: 2014-06-28
• 公開（公告）號: CN104077081B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 王啟科
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

技術領域

本發明涉及計算機技術領域，尤其涉及一種存儲方法及裝置。

背景技術

動態存儲分層(Dynamic Storage Tiering，簡稱DST)技術在存儲數據時已被普遍使用。其原理在于：在存儲系統中配置至少兩種不同性能的存儲介質。在存儲系統的使用過程中，通過對數據塊過去的訪問頻率的統計來預測數據塊未來的訪問頻率，根據數據塊訪問頻率的統計結果動態地將數據塊遷移到合適的存儲介質。具體地，可將訪問頻率高的數據塊遷移到高性能的存儲介質上，將訪問頻率低的數據塊遷移到低性能的存儲介質上。通常高性能的存儲介質價格較高，低性能的存儲介質價格較低。通過這種數據存放和遷移方式，可以用更少的成本獲得更好的數據平均訪問性能。

由于數據塊的訪問頻率是動態統計的，某些數據塊訪問頻率會落在統計結果中對應存儲層邊界附近的位置。在之后的統計周期中，數據塊訪問頻率的微小變化可能會使得其在連續的周期中反復地落在不同的存儲層，引發該數據塊的反復遷移，即同一塊數據在鄰近的周期中被反復地在存儲層之間遷移。這樣將浪費大量的IO資源，造成高性能存儲介質如固態硬盤(Solid State Disk，簡稱SSD)的使用壽命縮短。因為SSD的擦寫次數是有限的，反復遷移產生大量的擦寫操作，將使得SSD壽命嚴重縮短。且反復大量遷移將破壞數據存儲的連續性，生成大量磁盤碎片。

發明內容

本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種存儲方法及裝置。以解決數據塊訪問頻率微小變化導致數據塊在不同存儲層反復遷移的問題。

本發明實施例第一方面提供了一種存儲方法，可包括：

在第一周期內統計數據塊的訪問頻率，根據所述數據塊的訪問頻率將所述數據塊存儲至對應的存儲層中；

在第二周期內統計所述數據塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區的次數或深度，其中，所述阻尼區為訪問頻率的值的區間，且所述阻尼區與存儲層中的存儲區域存在預設映射關系，每個存儲層包括至少一個阻尼區；

若所述數據塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區的次數達到預設次數閾值，或者若所述數據塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區的深度累計值達到預設累計閾值，則將所述數據塊遷移至所述阻尼區對應的存儲層中。

在第一方面的第一種可能的實現方式中，所述阻尼區與存儲層中的邊界區域存在預設映射關系。

結合第一方面的第一種可能的實現方式，在第二種可能的實現方式中，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區，所述第二存儲層包括第二阻尼區，所述數據塊當前存儲在所述第二存儲層中，則所述在第二周期內統計所述數據塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區的次數，包括：

在第二周期內統計所述數據塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區的次數；

所述若所述數據塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區的次數達到預設次數閾值，則將所述數據塊遷移至所述阻尼區對應的存儲層中，包括：

若所述數據塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區的次數達到預設次數閾值，則將所述數據塊遷移至所述第一阻尼區對應的第一存儲層中。

結合第一方面的第二種可能的實現方式，在第三種可能的實現方式中，若所述存儲層還包括第三存儲層，且所述第二存儲層位于所述第一存儲層和第三存儲層之間，則所述第二存儲層還包括第三阻尼區，所述第三存儲層包括第四阻尼區，所述在第二周期內統計所述數據塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區間的次數，還包括：

在第二周期內統計所述數據塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區的次數；

所述若所述數據塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區的次數達到預設次數閾值，則將所述數據塊遷移至所述阻尼區對應的存儲層中，還包括：

若所述數據塊的訪問頻率落入所述第四阻尼區的次數達到預設次數閾值，則將所述數據塊遷移至所述第四阻尼區對應的第三存儲層中。

結合第一方面的第一種可能的實現方式，在第四種可能的實現方式中，若所述存儲層包括第一存儲層和第二存儲層，且所述第一存儲層包括第一阻尼區，所述第二存儲層包括第二阻尼區，所述數據塊當前存儲在所述第二存儲層中，則所述在第二周期內統計所述數據塊的訪問頻率落入相鄰存儲層的阻尼區的深度，包括：

在第二周期內統計所述數據塊的訪問頻率落入所述第一阻尼區的深度；

所述若所述數據塊的訪問頻率落入所述相鄰存儲層的阻尼區的深度累計值達到預設累計閾值，則將所述數據塊遷移至所述阻尼區對應的存儲層中，包括：