[發明專利]一種場阻型IGBT的制備方法

有效

• 申請號: 201410304747.6
• 申請日: 2014-06-28
• 公開（公告）號: CN104779157B
• 公開（公告）日: 2019-06-21
• 發明（設計）人: 楊凡力
• 申請（專利權）人: 上海提牛機電設備有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 上海智力專利商標事務所(普通合伙) 31105
• 代理人: 周濤

1.一種場阻型IGBT的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將含有場阻層和漂移層的第一晶圓與單側表面具有多孔硅氧化層的第二晶圓粘在一起，使第一晶圓的場阻層與第二晶圓的多孔硅氧化層結合，所述第二晶圓的制備方法是在一塊晶圓的單側表面先制備出一多孔硅層，然后再對所述多孔硅層進行氧化，形成多孔硅氧化層；

將第一晶圓的漂移層的厚度減薄；

將減薄后的第一晶圓的漂移層表面進行正面工藝；

將第一晶圓和第二晶圓剝離；

在第一晶圓的場阻層表面加工出集電極；

所述第一晶圓的制備方法是在一塊晶圓的單側表面外延出一層N型層，所述N型層作為場阻層，未進行外延的另一側表面作為漂移層，所述場阻層的厚度為1～99um。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述多孔硅氧化層的厚度為1～100um。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將所述第一晶圓的漂移層厚度減薄的方法為機械研磨拋光法。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將減薄后的第一晶圓的漂移層表面的正面工藝具體操作為：

P型體和N+注入推進；

溝槽刻蝕；

柵氧化和多晶硅沉積；

介質沉積；

接觸孔刻蝕；

正面金屬化；

硅片正面鈍化。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將第一晶圓和第二晶圓剝離的方法是用化學法腐蝕掉多孔硅氧化層。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述集電極的加工方法是在第一晶圓的場阻層表面注入P型雜質。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述化學法為通過滴加氫氟酸來腐蝕多孔硅氧化層。