[發明專利]一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法

無效

• 申請號: 201410303634.4
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104103716A
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 徐華浦;金浩;蔣方丹;陳康平;郭俊華
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：利用PECVD方法在硅片表面沉積一層一定厚度的SiNx掩膜，采用絲網印刷技術在硅片表面選擇性印刷腐蝕性漿料，待SiNx掩膜被腐蝕性漿料充分腐蝕后用DI水清洗，然后用酸性刻蝕液HNO₃+HF對硅片印刷腐蝕性漿料區域進行腐蝕，再用HF去除SiNx掩膜，并用低濃度HNO₃和HF混合溶液去除硅片表面損傷層，獲得具有優質陷光效果的蜂窩絨面。

2.根據權利要求1所述的一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：所述的SiNx掩膜的厚度控制為10~30nm。

3.根據權利要求1所述的一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：所述的腐蝕性漿料為NH₄F和HF混合凝膠溶液。

4.根據權利要求1所述的一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：所述的選擇性印刷是采用圖案設計為均勻排列的鏤空圓孔的絲網印刷網版進行印刷，所述的網版圖案中圓孔直徑為?5~10um，圓孔間距為10~15um，其中圓孔區域為腐蝕性漿料印刷區域，其余區域為非腐蝕性漿料印刷區域。

5.根據權利要求1所述的一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：所述SiNx掩膜被腐蝕性漿料充分腐蝕的時間控制為60~120s。

6.根據權利要求1所述的一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：所述的酸性刻蝕液HNO₃+HF中HNO₃∶HF的體積比為6∶1。

7.根據權利要求1所述的一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：所述的低濃度HNO₃和HF混合溶液是將所述的酸性刻蝕液HNO₃+HF稀釋20倍所得到的溶液。

8.根據權利要求3所述的一種實現多晶硅太陽能電池蜂窩陷光絨面的方法，其特征是：所述的NH₄F和HF混合凝膠溶液中NH₄F∶HF的體積比為1∶1。