[發明專利]一種封裝導線材料結構及其加工方法有效
| 申請號: | 201410303386.3 | 申請日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN104134645B | 公開(公告)日: | 2017-06-27 |
| 發明(設計)人: | 劉伯彥;周斌;鐘其龍;王曉靁;劉崇志 | 申請(專利權)人: | 廈門潤晶光電集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/49 | 分類號: | H01L23/49;H01L21/60 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標代理有限公司35203 | 代理人: | 李寧 |
| 地址: | 361000 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 導線 材料 結構 及其 加工 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體及LED后段封裝技術,特別與一種封裝導線材料的結構及其加工方法有關。
背景技術
集成電路(Integrated Circuit;IC)封裝內部接合方式,可分為打線接合、卷帶式自動接合與覆晶接合,其中,打線接合由于制程成熟、成本低、布線彈性高,是目前應用最廣的接合技術,約占所有封裝產品90%。
打線接合使用的導線,分為金線、銅線與鋁線,目前以金線為主流,原因在于金具備穩定性高、質軟、延展性佳等物理特性優勢,用于IC封裝打線接合時,其良率、生產效率及線徑微細化等表現,皆相當不錯。然而,自1999年來,國際金價即一路走高,甚至在2009年金價突破每盎司1,000美元價位。金價高漲,使半導體封測業者與IC設計業者不得不正視金線高昂的成本,而積極投入其他金屬打線技術研發,并計劃導入量產。而銅打線技術發源于1980年代,除成本考慮外,銅的導電性、導熱性及強韌度皆較金為佳,因此自2001年起,即大量應用于大功率組件及離散組件等線徑粗、電負載量大的半導體產品。但受制于銅的硬度高于金,銅打線應用在IC封裝時,由于電路復雜、結構脆弱、接腳細且密,導致打線技術難度大增、研發與認證投資不易回收。
眾所皆知,銅線非常容易氧化,包括貯存及運輸均必須特別留意隔絕空氣,在打線接合過程更需要極嚴格的惰性氣體保護;更嚴重的是由于銅線的易氧化及腐蝕特性,將會導致打線接合產品的可靠度偏低,另一方面因為銅線的強度與硬度較高,使其焊線作業參數較窄、速度較慢及良率較差,尤其在最近相當熱門的迭球打線接合封裝,銅線遭遇極大困難,迫使封裝廠不得不采用“金銅混打”的變通方案,可是仍然不能完全克服迭球在金/銅界面所出現的質量不佳問題。
因應上述現存技術的缺點,本發明人對封裝導線材料進行改進,本案由此產生。
發明內容
本發明的目的在于提供一種封裝導線材料結構以及其加工方法,以避開了使用銅所衍生的問題,并減少金的使用量,降低成本。
為了達成上述目的,本發明的技術方案是:
一種封裝導線材料結構,由中間線芯和表面鍍層組成,中間線芯為鎢絲,表面鍍層為金,由此形成內鎢外金的結構。
其中,中間線芯的鎢絲直徑為12.7微米,表面鍍層的厚度為2微米。
一種封裝導線材料加工方法,其步驟如下:
第一步,模壓:將固定重量的鎢粉放進不銹鋼模具中,擠壓成一整根棒;
第二步,預燒結:將第一步的這根易碎的棒放置在難熔金屬器皿中,并放入氫氣燒結爐中,高溫1200~1600℃使金屬顆粒不斷地凝聚在一起;這一過程中,致密性可到達約60%~70%,粒度不會增加;
第三步,完全燒結:將鎢棒的兩端垂直夾持在垂熔爐的上、下夾頭,采用低電壓、高電流供電(電壓9-12V,電流8000-12000A),使鎢坯條自身升溫。通過增大電流提高燒結溫度,燒結溫度最高達3000℃左右,而產生的熱量會使鎢棒的致密性達到約85%至95%,與此同時,棒的內部鎢晶體開始形成;斷電,通入循環水對上、下夾頭進行冷卻;
第四步,擠鍛壓加工:對第三步的棒加溫到1200℃到1500℃,采用錘鍛機捶打鎢棒,直到鎢棒的直徑達到6350 到 2540微米;
第五步,拉拔:第四步擠鍛壓過的鎢棒再通過拉絲模拉拔,使其直徑達到12.7微米,制成鎢絲;
第六步,鎢絲鍍金:對第五步已完成的鎢絲進行鍍金,鍍金厚度約為2微米,制成具有內鎢外金結構的封裝導線材料。
采用上述方案后,本發明使用鎢線鍍金的方式來解決現有技術中的缺點,利用鎢的耐高溫、高韌性及延展性,高抗氧化能力(在常壓下,要達到400~500℃,才會產生氧化反應,但反應的生成物WO3會形成一表面保護膜,阻止氧化深入內部),低電子遷移率,在高溫下加工,可以制造出比金線更細之鎢絲,但由于其高電阻值問題,故佐以表面鍍金以減少電阻,提高電子傳輸的能力,并且鎢絲鍍金后,其將更為耐高溫,抗腐蝕,熱膨脹系數低。由于本發明主要使用鎢絲為封裝打線接合材料,大大減少金的使用量,也避開了使用銅所衍生的問題,達到降低成本,并改善現存技術的缺點。
附圖說明
圖1是本封裝導線材料的結構示意圖;
圖2是本封裝導線材料的加工方法流程圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廈門潤晶光電集團有限公司,未經廈門潤晶光電集團有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410303386.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:集成電路裝置及制造半導體與存儲器裝置的方法
- 下一篇:半導體封裝件及其制法





