[發明專利]管芯-管芯感應通信裝置及方法

有效

• 申請號: 201410302817.4
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104253104B
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 約翰·M·皮戈特;弗雷德·T·布勞希勒;達拉爾·R·弗里爾;維韋克·古普塔;蘭德爾·C·格雷;諾曼·L·歐文斯;卡爾·E·達科斯塔
• 申請（專利權）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 陳依虹;劉光明

1.一種裝置，包括：

第一IC管芯，所述第一IC管芯具有鄰近所述第一IC管芯的第一表面的第一線圈；

第二IC管芯，所述第二IC管芯具有鄰近所述第二IC管芯的第一表面的第二線圈，其中所述第一IC管芯和所述第二IC管芯被布置在所述裝置中，使得所述第一IC管芯的所述第一表面面對所述第二IC管芯的所述第一表面，并且所述第一線圈和所述第二線圈跨過所述第一IC管芯和所述第二IC管芯之間的間隙彼此對齊，并且其中所述第一IC管芯和所述第二IC管芯彼此電流隔離，其中所述第一IC管芯還包括被暴露在所述第一IC管芯的所述第一表面的多個第一焊盤，其中所述多個第一焊盤電耦合于所述第一線圈；以及

所述第二IC管芯還包括半導體襯底、延伸通過所述半導體襯底的多個導電硅通孔、以及多個第二焊盤，所述多個第二焊盤電耦合于所述多個導電硅通孔并被暴露在所述IC管芯的與所述第二IC管芯的所述第一表面相對的第二表面；以及

所述間隙內的介電結構，所述介電結構被直接放置在所述第一線圈和第二線圈之間；其中所述介電結構比第一IC管芯窄比第二IC管芯寬，從而介電結構延伸到第二IC管芯邊緣以外。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述裝置還包括：

耦合于所述第一焊盤的第一電連接；以及

耦合于所述第二焊盤的第二電連接，以及

其中所述第一電連接和所述第二電連接選自引線接合、焊接凸點、螺柱凸點以及直接管芯附著結構。

3.根據權利要求2所述的裝置，還包括：

多個封裝引線，其中所述第一電連接耦合在所述第一焊盤和第一組所述封裝引線之間，以及所述第二電連接耦合在所述第二焊盤和第二組所述封裝引線之間。

4.根據權利要求3所述的裝置，還包括：

支撐結構，其中所述第一IC管芯的第二表面耦合于所述支撐結構，并且其中所述支撐結構和所述多個封裝引線形成了引線框的多個部分。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一線圈由被一個或多個第一介電層分離的多個第一金屬層內的多個第一圖案化的導體組成；以及

所述第二線圈由被一個或多個第二介電層分離的多個第二金屬層內的多個第二圖案化的導體組成。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一IC管芯還包括耦合于所述第一線圈的發射器電路；以及

所述第二IC管芯還包括耦合于所述第二線圈的接收器電路。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中所述介電結構包括以下中的一個或多個：選自聚酰亞胺、聚四氟乙烯和苯并環丁烯的材料；覆蓋所述第一線圈的介電層的一部分；覆蓋所述第二線圈的介電層的一部分；以及氣隙。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述介電結構包括厚度在25微米至400微米的范圍中的介電材料。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述介電結構具有第一表面和相對于第一表面的第二表面，其中所述介電結構的所述第一表面耦合于所述第一IC管芯的所述第一表面，所述介電結構的所述第二表面耦合于所述第二IC管芯的所述第一表面，并且所述介電結構延伸到所述第一IC芯和所述第二IC管芯的重疊邊緣以外。

10.根據權利要求1所述的裝置，其中：

所述第一IC管芯還包括鄰近所述第一IC管芯的所述第一表面的一個或多個附加第一線圈；

所述第二IC管芯還包括鄰近所述第二IC管芯的所述第一表面的一個或多個附加第二線圈，其中所述附加第一線圈的每一個跨過所述間隙與所述附加第二線圈中的對應的一個對齊；以及

所述介電結構被直接放置在所述附加第一線圈和所述附加第二線圈的對齊對之間的所述間隙內。

11.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一IC管芯、所述第二IC管芯和所述介電結構被一起封裝在氣腔封裝中。