[發(fā)明專利]定向納米線材料形成方法和設(shè)備、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410302427.7
• 申請(qǐng)日: 2014-06-27
• 公開（公告）號(hào): CN104098082B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王瑞勇;白峰;趙一鳴;任濤;劉震
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C01B32/168
• 分類號(hào): C01B32/168;B82B1/00;B82B3/00
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 柴亮,張?zhí)焓?/td>

1.一種定向納米線材料形成方法，其特征在于，包括：

使含納米線的分散液在封閉環(huán)中形成液膜；

沿第一方向擴(kuò)展所述封閉環(huán)，使所述液膜隨之沿第一方向擴(kuò)展；

沿第一方向收縮所述封閉環(huán)，使所述液膜隨之沿第一方向收縮；

將收縮后的所述液膜轉(zhuǎn)移到基底上；

使所述液膜固化，在基底上形成定向納米線材料；

其中，所述分散液包括增稠劑、表面活性劑、去離子水；所述分散液的粘度在10～100厘泊。

2.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，包括：

S1、使含導(dǎo)電納米線的分散液在封閉環(huán)中形成液膜；

S2、沿第一方向擴(kuò)展所述封閉環(huán)，使所述液膜隨之沿第一方向擴(kuò)展；

S3、沿第一方向收縮所述封閉環(huán)，使所述液膜隨之沿第一方向收縮；

S4、將所述液膜轉(zhuǎn)移到基底上；

S5、使所述液膜固化，在基底上形成由定向?qū)щ娂{米線材料構(gòu)成的第一導(dǎo)電膜；

S6、通過構(gòu)圖工藝用所述第一導(dǎo)電膜形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；

其中，所述分散液包括增稠劑、表面活性劑、去離子水；所述分散液的粘度在10～100厘泊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，

所述導(dǎo)電納米線包括銀納米線、金納米線、銅納米線、碳納米管中的任意一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，

所述導(dǎo)電納米線的直徑在10～200nm，長徑比大于等于100。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，

所述導(dǎo)電納米線在分散液中的質(zhì)量百分含量在0.1～5.0％。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述封閉環(huán)由兩個(gè)支撐單元和兩個(gè)移動(dòng)單元圍成，其中，

兩支撐單元間隔設(shè)置且平行于所述第一方向；

兩移動(dòng)單元間隔設(shè)置且垂直于所述第一方向，至少一個(gè)所述移動(dòng)單元能沿第一方向運(yùn)動(dòng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述步驟S2和步驟S3中，

環(huán)境溫度為25～30℃，環(huán)境濕度為70～90％，擴(kuò)展速度和收縮速度在3～5米/分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，

所述液膜在被收縮后在第一方向上的尺寸為其擴(kuò)展后在第一方向上的最大尺寸的1/6至1/2。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述步驟S4包括：

移動(dòng)所述基底，使其表面與所述液膜接觸，從而將所述液膜轉(zhuǎn)移至基底上。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述步驟S5包括：

通過加熱使所述液膜固化，所述加熱包括：在50～70℃的溫度下加熱80～100秒，之后在130～150℃的溫度下加熱80～100秒。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，所述步驟S6包括：

在13秒內(nèi)，以1000轉(zhuǎn)/分鐘的轉(zhuǎn)速在基底上旋涂光刻膠；

以100攝氏度的溫度下預(yù)烘130秒；

以27J/cm²的能量對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光；

在130攝氏度的溫度下后烘170秒；

在25攝氏度的溫度下于顯影液中顯影30秒；

在30攝氏度的溫度和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的環(huán)境中，于刻蝕液內(nèi)刻蝕30秒；

在65攝氏度的溫度下于剝離液中剝離140秒，除去剩余的光刻膠，得到所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求2至11中任意一項(xiàng)所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成方法，其特征在于，在所述步驟S5和S6之間，還包括：

重復(fù)步驟S1至步驟S5，在基底上形成由定向?qū)щ娂{米線材料構(gòu)成的附加導(dǎo)電膜，所述附加導(dǎo)電膜與第一導(dǎo)電膜位置重疊，且二者中導(dǎo)電納米線的定向方向不同。