[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410302041.6
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104282757B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: S·特根
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 鄭立柱

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種半導體器件。

背景技術

功率MOSFET(金屬-氧化層半導體場效晶體管)是用于開關電源、反相器器件等器件的高擊穿電壓半導體器件的示例。例如，功率MOSFET被認為在低阻性負載時切換高電壓，從而具有非常小的開關損耗和傳導損耗。功率MOSFET具有較小的導通電阻(Ron)并且在關閉時具有高擊穿電壓，這是所期望的。例如，當功率MOSFET被關閉時，功率MOSFET應可承受幾十到幾百伏特的漏-源極電壓Vds。作為另外的例證，當Vds為低電壓降，柵-源電壓在約10到20V時，功率MOSFET將傳導非常大的可高達幾百安培的電流。

發明內容

根據一個實施例，半導體器件包括從半導體襯底的第一主表面伸出的第一脊和第二脊，該第一脊和第二脊在第一方向上延伸，設置于半導體襯底的在第一脊和第二脊之間的部分中的體區，第一脊和第二脊連接于該體區，在體區上形成的多個另外的脊，該另外的脊在與第一方向交叉的第二方向上延伸，以及毗連體區的柵電極，該柵電極在第一方向上延伸。柵電極設置于該另外的脊的至少兩個側面處。

根據一個實施例，集成電路包括至少部分的構建于半導體襯底中的第一晶體管。第一晶體管包括第一體區和第一柵電極。該集成電路進一步包括多個串聯連接以構成串聯電路的第二晶體管，該串聯電路串聯連接于第一晶體管。第二晶體管中的至少一個第二晶體管包括從半導體襯底的第一主表面上伸出的第一脊和第二脊，該第一脊和第二脊在第一方向上延伸。第二晶體管中的至少一個第二晶體管的第二體區設置于半導體襯底的在第一脊和第二脊之間的部分中。第一脊和第二脊與該體區連接。上述的第二晶體管中的一個晶體管的第二柵電極設置于毗連第二體區，第二柵電極在第一方向上延伸。

根據另一實施例，集成電路包括至少部分地構建于半導體襯底中的第一晶體管。第一晶體管包括第一體區和第一柵電極。該集成電路進一步包括多個串聯連接以構成串聯電路的第二晶體管，該串聯電路串聯連接于第一晶體管。第一晶體管包括從半導體襯底的第一主表面上伸出的第一脊和第二脊，該第一脊和第二脊在第一方向上延伸。第一體區設置于半導體襯底的在第一脊和第二脊之間的部分中，而且第一柵電極設置于毗連第一體區，第一柵電極在第一方向上延伸。

通過閱讀下面的具體實施方式和查看附圖，本領域的熟練的技術人員將認識到本發明的其他技術特征和優點。

附圖說明

提供附圖以進一步理解本發明的實施例，并且被并入和構成本說明書的一部分。附圖圖示了本發明的實施例，并且和說明書一起用于解釋本發明的原理。通過參考下面的具體實施方式，本發明的其他實施例和預期的優點將更加地容易理解。附圖中的元件不一定是相對彼此按比例繪制的。相同的附圖標記表示對應的相似的部分。

圖1示出了依據一種實施例的半導體器件的透視圖；

圖2示出了依據另一實施例的半導體器件的透視圖；

圖3A至3D示出了圖2中所示的半導體器件的各種視圖；

圖4A至4B例舉了依據一種實施例的半導體器件的等效電路圖。

具體實施方式

在下面具體實施方式中引用了附圖，其構成本發明的一部分，并且其中通過例舉本發明可以實施的具體實施例的方式被示出。對此，方向性術語例如“頂(top)”、“底(bottom)”、“前(front)”、“后(back)”、“前向(leading)”、“背向(trailing)”等是用于參照附圖所描述的方向使用。由于本發明的實施例的部件可在多個不同的方向上設置，所以方向性術語是以例證為目的而絕不是為了限制本發明。應當理解的是，不脫離本發明權利要求限定的范圍，可利用本發明的其他實施例或者對本發明作出結構或邏輯上的修改。

實施例的描述不是為了限定。特別的是，在下文中描述的實施例的元件可與不同實施例的元件相結合。

在下面描述中使用的術語“晶元(wafer)”、“襯底(substrate)”或“半導體襯底(semiconductor substrate)”可包括任何具有半導體表面的基于半導體的結構。晶元和半導體結構應被理解為包括硅、硅晶絕緣體(SOI)、藍寶石硅片(SOS)、摻雜半導體和未摻雜半導體、由基底半導體基礎支撐的硅的外延層，以及其他半導體結構。半導體不必是硅基的。半導體也可以是硅-鍺、鍺或者砷化鎵。根據本申請的實施例，通常地，碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)可作為半導體結構材料的其它示例。