[發明專利]有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201410301817.2 | 申請日: | 2014-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN104282718A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發明(設計)人: | 尹榮男;金奎錫 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;戴嵩瑋 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,其特征在于,包括第一像素至第三像素,其中,第一像素至第三像素中的每個像素包括:
第一電極;
第二電極;以及
有機發光層,設置在第一電極和第二電極之間,
其中,第一像素包括第一濾色器材料,第一濾色器材料設置在第一像素的第二電極上方并且被構造成透射具有第一波長的光,
其中,第二像素包括第二濾色器材料,第二濾色器材料設置在第二像素的第二電極上方并且被構造成透射具有第二波長的光,第二波長不同于第一波長,
其中,第三像素包括第三濾色器材料,第三濾色器材料設置在第三像素的第二電極上方并且被構造成透射具有第三波長的光,第三波長不同于第一波長和第二波長,
其中,第三像素包括第一透射區,第三濾色器材料不設置在第一透射區中,并且第一透射區被構造成使第三像素的有機發光層發射的光透過。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,第二像素包括第二透射區,第二濾色器材料不設置在第二透射區中,并且第二透射區被構造成使第二像素的有機發光層發射的光透過,其中,第二透射區的面積小于第一透射區的面積。
3.如權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,第一像素包括第三透射區,第一濾色器材料不設置在第三透射區中,并且第三透射區被構造成使第一像素的有機發光層發射的光透過,其中,第三透射區的面積小于第二透射區的面積。
4.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,第二像素包括第二透射區,第二濾色器材料不設置在第二透射區中,并且第二透射區被構造成使第二像素的有機發光層發射的光透過,其中,第二透射區的面積與第二濾色器材料的面積之比小于第一透射區的面積與第三濾色器材料的面積之比。
5.如權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中,第一像素包括第三透射區,第一濾色器材料不設置在第三透射區中,并且第三透射區被構造成使第一像素的有機發光層發射的光透過,其中,第三透射區的面積與第一濾色器材料的面積之比小于第二透射區的面積與第二濾色器材料的面積之比。
6.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,第一像素不包括沒有設置第一濾色器材料并且被構造成使第一像素的有機發光層發射的大量光透過的區域。
7.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,第二像素不包括沒有設置第二濾色器材料并且被構造成使第二像素的有機發光層發射的大量光透過的區域。
8.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,第一波長比第二波長長,其中,第二波長比第三波長長。
9.一種有機發光顯示裝置,其特征在于,包括第一像素至第三像素,其中,第一像素至第三像素中的每個像素包括:
第一電極;
第二電極;以及
有機發光層,設置在第一電極和第二電極之間,
其中,第一像素包括設置在第一像素的有機發光層上方的第一濾色器,第二像素包括設置在第二像素的有機發光層上方的第二濾色器,第三像素包括設置在第三像素的有機發光層上方的第三濾色器,其中,第三濾色器包括第一區和透光率比第一區的透光率高的第二區。
10.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其中,第三濾色器的第二區的厚度小于第三濾色器的第一區的厚度。
11.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其中,第三濾色器包括分布在其中并且被構造成吸收特定波長的光的多個吸光顆粒,其中,第一區中的吸光顆粒的密度高于第二區中的吸光顆粒的密度。
12.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其中,第二濾色器包括第三區和透光率比第三區的透光率高的第四區,其中,第四區的面積小于第二區的面積。
13.如權利要求12所述的有機發光顯示裝置,其中,第一濾色器包括第五區和透光率比第五區的透光率高的第六區,其中,第六區的面積小于第四區的面積。
14.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其中,第二濾色器包括第三區和透光率比第三區的透光率高的第四區,其中,第三區的面積與第四區的面積之比大于第一區的面積與第二區的面積之比。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





