[發明專利]介質層的形成方法

有效

• 申請號: 201410301166.7
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN105336668B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3105
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 吳敏

1.一種介質層的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成介質層；

對所述介質層進行第一紫外線處理，所述第一紫外線處理采用的波長范圍為320nm到400nm；

對所述介質層進行第二紫外線處理，所述第二紫外線處理采用的波長在200到250納米的范圍內。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一紫外線處理采用的功率在2毫瓦到2000瓦的范圍內，時間在2到4分鐘。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二紫外線處理包括：在紫外線發生裝置中，對所述介質層進行多波長紫外線處理。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二紫外線處理包括：在紫外線發生裝置中，對所述介質層進行單波長紫外線處理。

5.如權利要求3或4所述的形成方法，其特征在于，所述第二紫外線處理采用的功率在2毫瓦到2000瓦的范圍內，時間在2到4分鐘。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料包括氧化硅、摻碳的氧化硅、摻氮的氧化硅，摻氟的氧化硅。

7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成介質層的方法為等離子體增強化學氣相沉積法或旋轉涂敷法。