[發明專利]一種具有正磁各向異性溫度系數的磁性薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410301158.2
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104064350A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 劉宜偉;李潤偉;王保敏;詹清峰
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01F41/14
• 分類號: H01F41/14;H01F10/26
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 單英

1.一種具有正磁各向異性溫度系數的磁性薄膜的制備方法，所述的磁性薄膜是在襯底表面生長制得，其特征是：包括如下步驟：

步驟(1)：所述的襯底具有各向異性熱膨脹系數，沿某一互相垂直的X方向與Y方向的熱膨脹系數不同；在X方向與Y方向中，沿熱膨脹系數的絕對值較大的方向對該襯底施加應變，具體如下：

當襯底具有正的熱膨脹系數時，沿著熱膨脹系數較大的方向對襯底施加壓應變，所述的壓應變值大于參考應變值，所述的參考應變值的測試方法是：在所述的磁性薄膜的工作溫度區間，選擇最低的工作溫度為測試溫度，當溫度從室溫下降到該測試溫度時，所述襯底發生熱膨脹或熱收縮所產生的應變值；

當襯底具有負的熱膨脹系數時，沿著熱膨脹系數絕對值較大的方向對襯底施加張應變，所述的張應變值大于參考應變值，所述的參考應變值的測試方法是：在所述的磁性薄膜的工作溫度區間，選擇最低的工作溫度為測試溫度，當溫度從室溫下降到該測試溫度時，所述襯底發生熱膨脹或熱收縮所產生的應變值；

步驟(2)：室溫下，保持對襯底施加步驟(1)中所述的應變，在襯底表面生長所述的磁性薄膜；

步驟(3)：待所述的磁性薄膜生長完畢，撤去步驟(1)中所述的應變，即得到具有單軸磁各向異性的磁性薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種具有正磁各向異性溫度系數的磁性薄膜的制備方法，其特征是：所述的襯底包括單晶襯底、陶瓷襯底、金屬襯底、有機物襯底、塑料襯底、鐵電襯底。

3.根據權利要求1所述的一種具有正磁各向異性溫度系數的磁性薄膜的制備方法，其特征是：所述的磁性薄膜包括磁性金屬Fe、Co、Ni，磁性合金Fe-Ni、Fe-Ga、Co-Fe-B，磁性氧化物Fe₃O₄、La-Sr-Mn-O₃。

4.根據權利要求1所述的一種具有正磁各向異性溫度系數的磁性薄膜的制備方法，其特征是：所述的步驟(1)中，通過將襯底放置在凸模具或者凹模具對襯底施加應變，所述的凸模具或者凹模具產生的應變為t/2r，其中t為磁性薄膜和襯底的厚度，r為模具的曲率半徑。