[發明專利]MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結構有效
| 申請號： | 201410300621.1 | 申請日： | 2014-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN105277733B | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 戴忠偉 | 申請（專利權）人： | 廣芯電子技術（上海）股份有限公司 |
| 主分類號： | G01P1/00 | 分類號： | G01P1/00;G01P15/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人： | 胡美強;楊東明 |
| 地址： | 200030 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直支撐部 蓋帽 蓋帽結構 鍵合 半封閉腔體 金屬合金 垂直支撐 強度要求 垂直的 工字形 腳結構 開口端 容置 向內 延伸 | ||
1.一種MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結構，其特征在于，其包括一頂部、一與所述頂部相垂直的垂直支撐部，所述頂部與所述垂直支撐部構成一用于容置MEMS加速度傳感器的半封閉腔體，在所述半封閉腔體的開口端且在所述垂直支撐部的底面上設有一沿所述底面的周向向內和向外延伸的擴展接觸部，所述擴展接觸部與所述垂直支撐部構成一半工字形的結構。
2.如權利要求1所述的MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結構，其特征在于，所述垂直支撐部的厚度為70微米，所述擴展接觸部的厚度為78.5～79.0微米，并且所述垂直支撐部與所述擴展接觸部關于同一中心軸軸對稱。
3.如權利要求1所述的MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結構，其特征在于，所述垂直支撐部的截面形狀是“回”字形的。
4.如權利要求1所述的MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結構，其特征在于，所述垂直支撐部的截面形狀是橢圓形或圓形。
5.一種MEMS加速度傳感器，其特征在于，其包括一CMOS層、一設于所述CMOS層上的硅基板、一設于所述硅基板上的金屬合金板、一設于所述金屬合金板上的如權利要求1～4中任一項所述的MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結構。
6.如權利要求5所述的MEMS加速度傳感器，其特征在于，在所述硅基板的表面上且在所述金屬合金板的周圍還設有一層用于防腐蝕的二氧化硅薄膜。
7.如權利要求6所述的MEMS加速度傳感器，其特征在于，所述MEMS加速度傳感器的硅蓋帽結構上的所述擴展接觸部是通過共晶鍵合與所述金屬合金板連接的。
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