[發(fā)明專利]倒裝LED芯片的制備方法及倒裝LED芯片

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• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN104037277A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 姚禹;鄭遠志;陳向東;康建;梁旭東
• 申請（專利權）人: 圓融光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46;H01L33/38
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次生長緩沖層、本征半導體層、N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層，以形成外延層；

去除部分P型半導體層和部分發(fā)光層，露出部分N型半導體層；

在所述P型半導體層的表面依次形成透明導電層和分布式布拉格反射鏡DBR層，其中，所述透明導電層覆蓋所述P型半導體層，所述DBR層覆蓋所述透明導電層、所述N型半導體層、所述發(fā)光層和所述P型半導體層；

在所述DBR層的表面形成金屬反射層，并在所述DBR層和所述金屬反射層的相同位置形成通孔，以露出部分N型半導體層和部分透明導電層；

在所述DBR層和所述金屬反射層的通孔上形成金屬導電層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述DBR層的表面形成金屬反射層，并在所述DBR層和所述金屬反射層的相同位置形成通孔，包括：

在所述DBR層的表面直接形成所述金屬反射層；

在所述DBR層和所述金屬反射層上同時形成穿過所述金屬反射層和穿過所述DBR層的通孔。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述DBR層的表面形成金屬反射層，并在所述DBR層和所述金屬反射層的相同位置形成通孔，包括：

在所述DBR層上形成通孔；

在所述DBR層的表面形成金屬反射層，并在所述DBR層的通孔位置形成所述金屬反射層上的通孔，其中，所述金屬反射層的覆蓋范圍不超出所述DBR層的覆蓋范圍。

4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述DBR層的通孔位置形成所述金屬反射層上的通孔，包括：

在所述金屬反射層上形成通孔，所述通孔包括與所述DBR層的通孔位置相同的用于形成所述金屬導電層的通孔，以及用于將所述金屬反射層隔離成相互獨立的第一金屬反射層和第二金屬反射層的隔離孔；

其中，所述第一金屬反射層上的通孔位于所述N型半導體層之上，并使得部分N型半導體層露出，所述第二金屬反射層上的通孔位于所述透明導電層之上，并使得部分透明導電層露出。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬反射層由單一材料形成；或者，

所述金屬反射層由多種材料依次形成的反射層、過渡層和屏障層疊加組成。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述DBR層和所述金屬反射層的通孔上形成金屬導電層，包括：

在所述DBR層和所述金屬反射層的通孔上形成填充所述DBR層的通孔和填充所述金屬反射層的通孔的金屬導電層，所述金屬導電層在所述通孔的位置形成相互獨立的區(qū)域。

7.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述金屬導電層包括第一金屬導電層和第二金屬導電層，所述第一金屬導電層位于第一金屬反射層上，所述第二金屬導電層位于第二金屬反射層上；則所述在所述DBR層和所述金屬反射層的通孔上形成金屬導電層，包括：

去除部分金屬反射層，使得所述第一金屬反射層上的通孔和所述第二金屬反射層上的通孔分別連通；

在所述DBR層和所述金屬反射層的通孔上形成分別連接所述第一金屬導電層和所述第二金屬導電層，其中，所述第一金屬導電層與所述第二金屬導電層相互獨立。

8.根據(jù)權利要求1～7中任一項所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述金屬反射層和所述金屬導電層上形成絕緣層，在所述絕緣層上形成露出部分金屬導電層的通孔；

在所述絕緣層的通孔上形成金屬電極層。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述絕緣層上的通孔至少包括兩個，其中，一個通孔位于所述第一金屬導電層上，另一個通孔位于所述第二金屬導電層上，分別設置在所述倒裝LED芯片的兩端；

所述金屬電極層包括覆蓋于所述第一金屬導電層上的第一金屬電極層和覆蓋于所述第二金屬導電層上的第二金屬電極層。

10.一種倒裝LED芯片，其特征在于，所述倒裝LED芯片采用如權利要求1～9中任一項所述的方法制得。