[發(fā)明專利]一種p面帶有DBR反射層的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410299982.9
• 申請(qǐng)日: 2014-06-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105322062B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 左致遠(yuǎn);夏偉;徐現(xiàn)剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/10
• 分類號(hào): H01L33/10
• 代理公司: 濟(jì)南金迪知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司37219
• 代理人: 呂利敏

1.一種p面帶有DBR反射層的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，由底部至頂部的結(jié)構(gòu)依次為p電極、襯底、鍵合層、反射鏡層與歐姆接觸層、絕緣層、DBR反射層、p面窗口層、p型半導(dǎo)體層、有源區(qū)、n型半導(dǎo)體層、窗口層，n電極；其中，

所述的DBR反射層是MOCVD技術(shù)制備的Al_xIn_1-xP/GaAs、Al_xIn_xP/Ga_xIn_xP、Al_xIn_xP/(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP或AlAs/Al_xGaAs交替生長(zhǎng)層，周期數(shù)為1-50對(duì)，單周期厚度為0.1μm-1μm；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，p型摻雜的濃度為1×10¹⁸cm^-3-1×10²¹cm^-3；

所述的反射鏡層與歐姆接觸層厚度為0.1μm-10μm，并以開(kāi)孔的形式穿透絕緣層與DBR反射層接觸；開(kāi)孔直徑為1-50μm。

2.如權(quán)利要求1所述的p面帶有DBR反射層的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的鍵合層選自Au、In、Sn、Ti、Pt、Al、Cr材料中的單一材料或多個(gè)材料的組合，使用蒸發(fā)或?yàn)R射的方式制備；厚度為0.2μm-10μm。

3.如權(quán)利要求1所述的p面帶有DBR反射層的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的反射鏡層與歐姆接觸層厚度為0.1μm-5μm，開(kāi)孔直徑為厚度的9-10倍。

4.如權(quán)利要求1所述的p面帶有DBR反射層的反極性AlGaInP發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的DBR反射層是下列之一：

a. Al_0.5In_0.5P/GaAs材料，p型摻雜的濃度為1×10¹⁸cm^-3，單周期厚度為0.1μm，周期數(shù)為2對(duì)；

b. Al_0.5In_0.5P/Ga_0.5In_0.5P材料，p型摻雜的濃度為1×10¹⁹cm^-3，單周期厚度為0.2μm，周期數(shù)為5對(duì)；

c. Al_0.5In_0.5P/Al_0.15Ga_0.35In_0.5P材料，p型摻雜的濃度為1×10¹⁹cm^-3，單周期厚度為0.3μm，周期數(shù)為10對(duì)；

d. AlAs/Al_0.4GaAs材料，p型摻雜的濃度為1×10²⁰cm^-3，單周期厚度為0.5μm，周期數(shù)為20對(duì)；

e. AlAs/Al_0.7GaAs材料，p型摻雜的濃度為1×10²¹cm^-3，單周期厚度為0.6μm，周期數(shù)為25對(duì)；

f. Al_0.5In_0.5P/Al_0.3Ga_0.2In_0.5P材料，p型摻雜的濃度為1×10²¹cm^-3，單周期厚度為1μm，周期數(shù)為50對(duì)。