[發明專利]具有自保護熔絲的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410299912.3
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104253107B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 賴振群;郭康民;彭彥明;郭國權;楊漢威;林怡瑞;張晉嘉;廖盈杰;許哲嘉;田博仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體器件，包括：

襯底，其中形成有有源區和接地的偽部件；

柵疊件，形成在所述有源區上方；

第一電接觸件和第二電接觸件，所述第一電接觸件與所述柵疊件接觸，所述第二電接觸件電連接至所述偽部件；

多個圖案化的金屬層，每個所述圖案化的金屬層都包括分別電連接至所述第一電接觸件和所述第二電接觸件的第一金屬圖案和第二金屬圖案，并且所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案通過金屬間介電層分隔開；

鈍化層，位于所述多個圖案化的金屬層中最頂部的圖案化的金屬層上方；

第一金屬焊盤和第二金屬焊盤，所述第一金屬焊盤電連接至所述第一電接觸件，所述第二金屬焊盤電連接至所述第二電接觸件；以及

金屬熔絲，連接兩個金屬部件，其中，所述兩個金屬部件中的第一個直接連接至所述第一電接觸件，而所述兩個金屬部件中的第二個直接連接至所述第二電接觸件，并且所述兩個金屬部件是所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤或是所述多個圖案化的金屬層中的一個金屬層中的第一金屬圖案和第二金屬圖案。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述偽部件是第一導電類型的阱。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述金屬熔絲在寬度尺寸上是所述金屬部件的十分之一至五分之一。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述兩個金屬部件是位于所述最頂部的圖案化的金屬層中的所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案。

5.一種半導體器件，包括：

襯底，其中形成有有源區和接地的偽部件；

柵疊件，形成在所述有源區上方；

介電材料層，位于所述襯底和所述柵疊件上方；

第一電接觸件和第二電接觸件，所述第一電接觸件與所述柵疊件接觸，所述第二電接觸件電連接至所述偽部件；

多個圖案化的金屬層，每個所述圖案化的金屬層都包括分別電連接至所述第一電接觸件和所述第二電接觸件的第一金屬圖案和第二金屬圖案，并且所述第一金屬圖案和所述第二金屬圖案通過金屬間介電層分隔開；

鈍化層，位于所述圖案化的金屬層中的最頂部的層的上方；

第一金屬焊盤和第二金屬焊盤，所述第一金屬焊盤電連接至所述第一電接觸件，所述第二金屬焊盤電連接至所述第二電接觸件；以及

匹配的短截線，位于兩個金屬部件上，其中，所述兩個金屬部件中的第一個直接連接至所述第一電接觸件，而所述兩個金屬部件中的第二個直接連接至所述第二電接觸件，并且所述兩個金屬部件是所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤或者是所述多個圖案化的金屬層中的一個金屬層中的第一金屬圖案和第二金屬圖案。

6.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底中形成有源區；

在所述有源區上方形成柵疊件和接地的偽部件；

在所述柵疊件上形成第一電接觸件，并且形成電連接至所述接地的偽部件的第二電接觸件；

沉積并且圖案化由金屬間介電層分隔開的多個金屬層，每個圖案化的金屬層都具有分別電連接至所述第一電接觸件和所述第二電接觸件的第一金屬圖案和第二金屬圖案；

在所述圖案化的金屬層中的最頂部的層的上方沉積鈍化層；

通過等離子體蝕刻工藝形成具有電連接至所述第一電接觸件的第一金屬焊盤和電連接至所述第二電接觸件的第二金屬焊盤的金屬焊盤層；

在兩個金屬部件之間形成金屬熔絲，其中，所述兩個金屬部件中的第一個直接連接至所述第一電接觸件，而所述兩個金屬部件中的第二個直接連接至所述第二電接觸件；并且所述兩個金屬部件是所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤或者是所述多個圖案化的金屬層中的一個金屬層中的第一金屬圖案和第二金屬圖案；以及

使所述金屬熔絲斷開。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，通過濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝使位于所述第一圖案和所述第二圖案之間的所述金屬熔絲斷開。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，通過濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝使位于所述最頂部的層中的所述第一圖案和所述第二圖案之間的所述金屬熔絲斷開。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，位于所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤之間的所述金屬熔絲位于所述鈍化層上。

10.根據權利要求6所述的方法，位于所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤之間的所述金屬熔絲位于所述鈍化層中。