[發明專利]純化四氯化硅的方法

有效

• 申請號: 201410299615.9
• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN104058408A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 趙雄;楊永亮;姜利霞;嚴大洲;萬燁
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種純化四氯化硅的方法，其特征在于，包括：

(1)利用粗四氯化硅吸收氯氣，以便得到吸收飽和的粗四氯化硅，其中，所述粗四氯化硅含有三氯氫硅；

(2)將步驟(1)得到的所述吸收飽和的粗四氯化硅進行光氯化反應，以便得到光氯化反應產物，其中，所述光氯化反應使所述三氯氫硅轉化為四氯化硅；

(3)采用氮氣對步驟(2)得到的所述光氯化反應產物進行氣提處理，以便分離未反應的氯氣，并且得到氣提后四氯化硅；

(4)將步驟(3)得到的所述氣提后四氯化硅進行第一精餾處理，以便得到塔頂尾氣和經過第一精餾處理的四氯化硅；以及

(5)將步驟(4)得到的所述經過第一精餾處理的四氯化硅進行第二精餾處理，以便得到塔釜液和經過純化的四氯化硅。

2.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(1)中，所述粗四氯化硅的純度為99.9～99.99％，所述氯氣的純度為99.99～99.9999％。

3.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(1)中，利用粗四氯化硅吸收氯氣是在吸收塔中進行的，其中，塔頂溫度為45～55攝氏度，壓力為0.15～0.25MPa。

4.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述光氯化反應是在串聯的多個光氯化反應器中進行的，優選的，所述光氯化反應是在串聯的四個光氯化反應器中進行的。

5.根據權利要求4所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在進行下一級光氯化反應之前，預先對上一級得到的光氯化產物進行冷卻處理。

6.根據權利要求5所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，所述冷卻處理是在25～45攝氏度的溫度和0.05～0.1MPa壓力條件下進行的。

7.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(2)中，利用波長為300～400納米的光源進行所述光氯化反應。

8.根據權利要求7所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，所述光源為高壓汞燈或低壓汞燈，優選高壓汞燈。

9.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(2)中，所述光氯化反應是在25～45攝氏度的溫度和0.05～0.1MPa的壓力條件下進行的。

10.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述氮氣的純度為99.99～99.9999％。

11.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(3)中，所述氣提處理是氣提塔中進行的，其中，塔頂溫度為15～25攝氏度，壓力為0.35～0.45MPa。

12.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(4)中，所述第一精餾處理是在塔頂溫度為95～105攝氏度和壓力為0.3～0.4MPa的條件下進行的。

13.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的方法，其特征在于，在步驟(5)中，所述第二精餾處理是在塔頂溫度為70～80攝氏度和壓力為0.15～0.25MPa的條件下進行的。