[發(fā)明專利]用于互連層結(jié)構(gòu)的掩膜組件及互連層的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410298612.3
• 申請(qǐng)日: 2014-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN105226049B
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/532
• 分類號(hào): H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種互連層的制作方法，其特征在于，該制作方法包括：

在襯底上依次形成介質(zhì)層和掩膜組件，所述掩膜組件包括依次設(shè)置于所述介質(zhì)層上的氧化物掩膜層、非晶碳層和金屬硬掩膜層；

刻蝕所述掩膜組件以形成開口；

刻蝕所述開口暴露出的所述介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中形成通孔；以及

在所述通孔中填充金屬材料形成金屬層，

形成所述開口的方法包括：

依次刻蝕所述金屬硬掩膜層、所述非晶碳層以及所述氧化物掩膜層，形成預(yù)開口；

進(jìn)一步刻蝕所述預(yù)開口側(cè)壁上的部分所述非晶碳層和部分所述氧化物掩膜層，使所述預(yù)開口底部寬度增加；

回蝕所述金屬硬掩膜層和所述非晶碳層，以形成側(cè)壁與所述介質(zhì)層的表面垂直的所述開口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，

在形成所述掩膜組件的步驟中，形成包括依次設(shè)置于所述介質(zhì)層上形成保護(hù)層、所述金屬硬掩膜層、粘附層、所述非晶碳層以及所述氧化物掩膜層；

形成所述預(yù)開口的步驟中，依次刻蝕所述保護(hù)層、所述金屬硬掩膜層、所述粘附層、所述非晶碳層以及所述氧化物掩膜層，形成預(yù)開口；

形成所述開口的步驟中，回蝕所述保護(hù)層、所述金屬硬掩膜層、所述粘附層和所述非晶碳層，以形成所述開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述介質(zhì)層后，對(duì)所述介質(zhì)層的上表面進(jìn)行碳摻雜處理，以在所述介質(zhì)層中形成碳摻雜區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述碳摻雜處理的步驟中，以C₂H₂或C₂H₄為反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體的流量為1000～3000sccm，腔室內(nèi)壓力為0.5～10torr，濺射功率為100～2000w，反應(yīng)時(shí)間為1～10s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述非晶碳層的步驟中，以C₂H₂或C₂H₄為反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體的流量為1000～3000sccm，腔室內(nèi)壓力為0.5～10torr，濺射功率為100～2000w，反應(yīng)時(shí)間為5～100s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述預(yù)開口側(cè)壁上的部分所述非晶碳層的工藝為氧等離子體工藝。