[發明專利]一種制造寬波段高吸收黑硅材料的方法

無效

• 申請號: 201410296521.6
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104064627A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 李世彬;王健波;余宏萍;張鵬;吳志明
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 譚新民

1.一種制造寬波段高吸收黑硅材料的方法，其特征在于，包括：

獲取P型重摻雜硅襯底；

使用電感耦合等離子體-反應離子刻蝕法對所述硅襯底進行刻蝕，在所述硅襯底表面上形成黑硅層；

在所述黑硅層表面沉積鈍化層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用電感耦合等離子體-反應離子刻蝕方法對所述硅襯底進行刻蝕的步驟包括：

清洗所述硅襯底；

將清洗后的所述硅襯底置于刻蝕腔中，抽真空至第一壓強，并將溫度保持在第一溫度；

向所述刻蝕腔中以第一流量通入六氟化硫氣體，以第二流量通入氧氣；

加射頻對所述硅襯底進行刻蝕第一時間。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一壓強為10^-8至1帕斯卡。

4.如權利要求2或者3所述的方法，其特征在于：所述第一溫度為-30至-50攝氏度。

5.如權利要求2或者3所述的方法，其特征在于：所述第一流量為500至1200毫升/分鐘。

6.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述第二流量為800至2000毫升/分鐘。

7.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一時間為7至12分鐘。

8.如權利要求1至7中任意一項所述的方法，其特征在于：使用原子層沉積法在所述黑硅層表面沉積鈍化層。

9.如權利要求1或者8所述的方法，其特征在于：所述鈍化層為氧化鋁鈍化層、二氧化硅鈍化層或者氮化硅鈍化層。