[發明專利]一種改良的晶體硅太陽電池背面結構制備方法

無效

• 申請號: 201410295737.0
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN104167468A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 苗麗燕;蔣方丹;金浩;郭俊華;陳康平
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳關炳

1.一種改良的晶體硅太陽電池背面結構制備方法，其特征在于：運用PVD金屬化技術，在晶體硅太陽電池背面形成Al層、Ni:Si層和Ag層疊層結構，具體步驟如下：

(1)真空熱蒸發沉積Al層：在真空條件下，將Si襯底加熱至250～300℃，通入Ar氣預濺射300～600s除去靶材表面的污染物，然后控制反應氣壓1～100Pa，濺射功率20～500W，轟擊高純鋁靶，反應時間500～2500s，沉積Al層，所述Al層厚度為0.5～4.0μm；

?(2)真空濺射沉積Ni:Si層：在真空條件下，將沉積Al層后Si襯底加熱至250～300℃，通入Ar氣預濺射300～600s除去靶材表面的污染物，然后控制反應氣壓1～40Pa，濺射功率30～300W，轟擊高純鎳硅合金靶，反應時間30～800s，沉積Ni:Si層，所述Ni:Si層厚度為50～500nm；

(3)真空濺射沉積Ag層：在真空條件下，將沉積Al層和Ni:Si層后Si襯底加熱至250～300℃，之后通入Ar氣預濺射300～600s除去靶材表面的污染物，然后控制反應氣壓1～50Pa，濺射功率30～600W，轟擊高純銀靶，反應時間5～500s，沉積Ag層，所述Ag層厚度為10～50nm。

2.如權利要求1所述的改良的晶體硅太陽電池背面結構制備方法，其特征在于：所述真空條件下的真空度為≤4×10^-4?Pa。

3.如權利要求1所述的改良的晶體硅太陽電池背面結構制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中高純鎳硅合金靶的鎳含量為10～90%。