[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410295608.1
• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN104253118A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 弗朗索瓦·赫伯特
• 申請（專利權(quán)）人: 美格納半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/495
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;吳鵬章

1.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

單片管芯；

設(shè)置在所述單片管芯中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件；以及

設(shè)置在所述單片管芯上方和下方的上電極和下電極，所述下電極電連接到電源地線，

其中所述低側(cè)輸出功率器件包括底部源極型橫向雙重擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述下電極電連接到所述低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述高側(cè)輸出功率器件包括分離于所述低側(cè)輸出功率器件的LDMOS。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括與所述下電極直接接觸的第一引線框。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第一引線框電連接到所述電源地線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括電連接到所述上電極的第二引線框。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述上電極電連接到所述單片管芯的輸入節(jié)點和切換節(jié)點。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第二引線框通過線接合或帶接合連接到所述上電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第二引線框通過銅夾連接到所述上電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述銅夾包括彼此不同的兩個或更多個銅夾。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括對所述驅(qū)動電路、所述器件以及所述上電極和所述下電極進行封裝的封裝劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述封裝劑對所述半導(dǎo)體封裝件進行封裝，但不包括所述半導(dǎo)體封裝件的底側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括構(gòu)造為將在所述半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部生成的熱耗散到外部的散熱器。

14.一種半導(dǎo)體封裝件，包括：

單片管芯；

包括在所述單片管芯中的驅(qū)動電路、低側(cè)輸出功率器件和高側(cè)輸出功率器件；

設(shè)置在所述單片管芯上方和下方的上電極和下電極；以及

與所述上電極直接接觸的銅夾，

其中所述低側(cè)輸出功率器件包括底部源極型橫向雙重擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述上電極電連接到所述低側(cè)輸出功率器件的源極區(qū)。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述高側(cè)輸出功率器件包括隔離于所述低側(cè)輸出功率器件的單片式LDMOS。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述下電極電連接到所述單片管芯的輸入節(jié)點和切換節(jié)點。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述銅夾電連接到電源地線。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述銅夾僅為一個。

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件，還包括構(gòu)造為將從所述半導(dǎo)體封裝件內(nèi)部生成的熱耗散到外部的散熱器，所述散熱器設(shè)置在所述銅夾的頂部上。