[發(fā)明專利]一種含Ca和S微弧氧化陶瓷膜層的鈦合金的制備工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410294840.3 | 申請日： | 2014-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN104651907A | 公開（公告）日： | 2015-05-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 孟源 | 申請（專利權(quán)）人： | 孟源 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 52100 | 代理人： | 吳無懼 |
| 地址： | 550000 貴州省*** | 國省代碼： | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 ca 氧化 陶瓷膜 鈦合金 制備 工藝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種含Ca和S微弧氧化陶瓷膜層的鈦合金的制備工藝，其特征在于：鈦合金的微弧氧化過程分兩步進(jìn)行，鈦合金先在含S的電解液中微弧氧化，后在含Ca的電解液中微弧氧化，電解液的溫度用微弧氧化設(shè)備控制在20～60℃，所述含Ca的電解液由醋酸鈣、Na2WO4和氨水組成，其中Na2WO4作為添加劑，氨水調(diào)整SH值為10，所述含S的電解液由(NaSO3)6和NaAlO2組成，其中NaAlO2作為添加劑，在微弧氧化過程中電流密度恒定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種含Ca和S微弧氧化陶瓷膜層的鈦合金的制備工藝，其特征在于：所述微弧氧化的工藝參數(shù)為：時間10min，頻率500?Hz，占空比12%，電壓200～500V，電流密度0.4?A/cm2。
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