[發明專利]測試元件組、陣列基板、顯示裝置和測試方法

有效

• 申請號: 201410294760.8
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104090389B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 張明;張九占;楊通;王國磊;胡明
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G09G3/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種測試元件組、陣列基板、顯示裝置和測試方法。

背景技術

顯示器的陣列基板中設置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)，通過TFT實現顯示的控制，在TFT制作完成后需要對TFT進行測試，以判斷TFT是否有缺陷。

目前，對TFT的測試是在陣列基板上設置測試元件組(Test Element Group，TEG)，TEG位于陣列基板的顯示區域外圍，TEG中包括一個TFT，該與陣列基板中顯示區域內的TFT結構相同，并且，TEG中TFT的源極、漏極和柵極分別連接有接觸電極，通過探針碰觸接觸電極來進行TFT上信號的施加和獲取，實現對TEG中的TFT進行電學性能的測試。然而，這種電學性能測試是為了驗證TFT的功能，無法準確檢測出TFT遠離柵極一側的有源層表面可能出現的問題，例如刻蝕不均勻、離子殘留等，但是這些問題可能會對TFT的性能造成不良影響。如果需要檢測TFT遠離柵極一側的有源層表面狀況，需要通過臺階儀或通過對TFT樣品切片后進行測量，但是這樣會對TFT造成損傷。

發明內容

本發明提供一種測試元件組、陣列基板、顯示裝置和測試方法，能夠有效檢測出TFT遠離柵極一側的有源層表面的狀況，且不會對TFT造成損傷。

為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：

一方面，提供一種測試元件組，包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層；

所述薄膜晶體管遠離所述柵極的一側設置有測試電極，所述測試電極與所述薄膜晶體管之間設置有測試電極絕緣層；

第一接觸電極，連接于所述源極，第二接觸電極，連接于所述漏極，第三接觸電極，連接于所述測試電極。

具體地，所述薄膜晶體管為底柵結構。

具體地，所述有源層的一側設置有所述柵極，所述有源層與所述柵極之間設置有柵極絕緣層，所述有源層遠離所述柵極的一側設置有所述源極和漏極。

具體地，上述測試元件組，還包括：

第四接觸電極，連接于所述柵極。

具體地，所述測試電極和所述第三接觸電極由氧化銦錫材料制成。

另一方面，提供一種陣列基板，包括：上述的測試元件組，所述測試元件組設置于顯示區域之外。

另一方面，提供一種顯示裝置，包括：上述的陣列基板。

另一方面，提供一種測試方法，利用上述的測試元件組進行測試，所述測試方法包括：

將所述測試元件組中的測試電極作為柵極，將所述測試絕緣層作為柵極絕緣層，以使所述測試元件組中的源極、漏極、有源層、測試電極和測試絕緣層形成測試薄膜晶體管，通過所述第一接觸電極、第二接觸電極和第三接觸電極對所述測試薄膜晶體管進行電性測試。

本發明提供的測試元件組、陣列基板、顯示裝置和測試方法，通過在測試元件組中薄膜晶體管遠離柵極的一側設置測試電極，并對測試電極施加柵極電壓信號來進行電性測試，根據電性測試的結果能夠有效檢測出遠離柵極一側的有源層表面的狀況，且不會對TFT造成損傷，從而可以根據檢測結果來改善TFT的制作工藝或設計，進而提高TFT的性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例中一種測試元件組的結構示意圖；

圖2為圖1的測試元件組中AA向的截面示意圖；

圖3為本發明實施例中另一種測試元件組的結構示意圖；

圖4為圖3的測試元件組中BB向的截面示意圖；

圖5為本發明實施例中另一種測試元件組的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。