[發明專利]互連結構的形成方法

在審

• 申請號: 201410294750.4
• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN105448810A
• 公開（公告）日: 2016-03-30
• 發明（設計）人: 陳林林;白凡飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種互連結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括下層介質層和位于所述下層介質層內的下層金屬導電結構，所述下層金屬導電結構的頂部表面與下層介質層的表面齊平；

在所述下層介質層和下層金屬導電結構表面形成頂層阻擋層；

對所述頂層阻擋層進行紫外固化處理；

在所述頂層阻擋層表面形成頂層介質層；

在所述頂層介質層內形成頂層金屬導電結構，所述頂層金屬導電結構表面與頂層介質層表面齊平。

2.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述紫外固化處理在惰性氣體氛圍下進行，對所述頂層阻擋層進行紫外線輻照。

3.根據權利要求2所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述紫外固化處理的紫外線輻照的時間為180s～300s，溫度為300℃～500℃。

4.根據權利要求3所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述紫外線的波長為100nm～400nm，所述紫外線為連續紫外線或脈沖紫外線。

5.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述頂層阻擋層的材料為碳氮化硅或氮化硅。

6.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述頂層阻擋層的厚度為

7.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述頂層介質層的介電系數大于下層介質層的介電系數。

8.根據權利要求7所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述頂層介質層的材料為氧化硅，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝形成所述頂層介質層。

9.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述下層介質層的介電系數等于或小于2.55。

10.根據權利要求9所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述下層介質層的材料包括SiCOH、多孔氧化硅或摻氟氧化硅。

11.根據權利要求10所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述下層介質層的形成方法包括：旋涂工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝或電感耦合等離子體化學氣相沉積工藝。

12.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述下層介質層包括第一介質層和位于所述第一介質層上方的第二介質層。

13.根據權利要求12所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述第一介質層和第二介質層之間具有下層阻擋層。

14.根據權利要求13所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述下層阻擋層的材料為碳氮化硅或氮化硅。

15.根據權利要求13所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述下層阻擋層的厚度為

16.根據權利要求12所述的互連結構的形成方法，其特征在于，還包括：對所述第二介質層進行固化處理。

17.根據權利要求16所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述固化處理在惰性氛圍下進行，對所述第二介質層進行紫外線輻照，時間為120s～240s，溫度為300℃～500℃。

18.根據權利要求17所述的互連結構的形成方法，其特征在于，所述紫外線的波長為100nm～400nm，所述紫外線為連續紫外線或脈沖紫外線。

19.根據權利要求17所述的互連結構的形成方法，其特征在于，在對所述第二介質層進行固化處理的同時，對下層阻擋層進行固化處理。

20.根據權利要求1所述的互連結構的形成方法，其特征在于，形成所述頂層金屬導電結構的方法包括：在所述頂層介質層上形成具有開口的掩膜層，以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述頂層介質層和頂層阻擋層，形成凹槽，暴露出部分下層金屬導電結構的表面；在所述凹槽內填充金屬層，形成頂層金屬導電結構。