[發(fā)明專利]一種半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410294223.3
• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN105336634B
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設計）人: 王志高
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N29/04
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

1)提供一晶圓，在所述晶圓的切割道內(nèi)制備金屬連線工藝的典型結(jié)構(gòu)；相同的所述典型結(jié)構(gòu)在晶圓的切割道內(nèi)排列成陣列區(qū)域，所述典型結(jié)構(gòu)形成的陣列區(qū)域的邊長大于10微米，且相鄰兩所述典型結(jié)構(gòu)形成的陣列區(qū)域之間的間距大于10微米；

2)將步驟1)得到的晶圓置于檢測機臺上，利用超聲波對所述典型結(jié)構(gòu)進行檢測，并得到相應的回聲信號；

3)將步驟2)中超聲波檢測的典型結(jié)構(gòu)切片制樣，進行TEM樣品檢測；若沒有檢測到空洞缺陷，將步驟2)中得到的回聲信號存入數(shù)據(jù)庫中，記為第一回聲信號；若檢測到空洞缺陷，重復步驟1)至步驟3)；

4)重復步驟1)至步驟2)，將步驟2)所得到的回聲信號記為第二回聲信號，將所述第二回聲信號與數(shù)據(jù)庫中所存的第一回聲信號進行比對，根據(jù)所述第二回聲信號的波形是否與第一回聲信號波形存在差異來判斷待檢測典型結(jié)構(gòu)中是否存在空洞缺陷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法，其特征在于：步驟1)中至少還包括以下步驟：

a)根據(jù)芯片設計規(guī)則歸納得到金屬連線工藝中的典型結(jié)構(gòu)；

b)依次進行光刻、刻蝕、介質(zhì)沉積、CMP和金屬連線工藝，以將步驟a)中得到的典型結(jié)構(gòu)制備于晶圓的切割道內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法，其特征在于：步驟a)中所述典型結(jié)構(gòu)包含金屬連線工藝中的所有典型結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法，其特征在于：步驟1)中所述典型結(jié)構(gòu)形成的陣列區(qū)域至少包括兩個不同的典型結(jié)構(gòu)形成的陣列區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法，其特征在于：步驟1)中所述典型結(jié)構(gòu)形成的陣列區(qū)域中，相鄰兩典型結(jié)構(gòu)的間距與所述典型結(jié)構(gòu)的尺寸之比為1:5～5:1。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法，其特征在于：步驟1)中所述典型結(jié)構(gòu)形成的陣列區(qū)域中，相鄰兩典型結(jié)構(gòu)的間距與所述典型結(jié)構(gòu)的尺寸之比為1:1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的檢測方法，其特征在于：利用超聲波對所述典型結(jié)構(gòu)進行檢測的方法為：使用超聲波儀器的探頭依次對每種所述典型結(jié)構(gòu)的循環(huán)重復區(qū)域進行100％的掃查。