[發明專利]壓阻式高過載壓力傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 201410294071.7
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN104215362A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發明（設計）人: 付博
• 申請（專利權）人: 無錫壹資半導體科技有限公司
• 主分類號: G01L1/18
• 分類號: G01L1/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種壓阻式高過載壓力傳感器：該傳感器從上至下由玻璃-硅-玻璃三層結構，其中上層玻璃設有絕壓腔和過載限位；中間為主芯片層，主芯片設有抗過載區和傳感區；下層玻璃設有引壓孔；上層玻璃的鍵合區與主芯片的抗過載區重合，主芯片的最大應變區與鍵合區交叉不重合，敏感電阻分別布置在最大應變區內。

2.一種壓阻式高過載壓力傳感器的制備方法，包括：根據鍵合位置對上層玻璃進行光刻，通過強酸進行腐蝕，形成絕壓腔；根據鍵合位置用機械打孔設備對下層玻璃進行打孔，形成引壓孔；根據抗過載區與傳感區的位置通過集成電路工藝和微加工工藝技術在中間主芯片層形成歐姆接觸區、壓敏電阻、歐姆接觸孔鍵合區、鋁引線、電極和硅杯結構。

3.根據權利要求1或7所述的壓阻式高過載壓力傳感器，所述的玻璃-硅-玻璃三層結構采用真空鍵合機通過陽極鍵合組合一起。

4.根據權利要求1或7所述的壓阻式高過載壓力傳感器，所述的上層玻璃通過劃片露出表面電極。

5.根據權利要求1或7所述的壓阻式高過載壓力傳感器的中間主芯片層為硅襯底形成的C型硅杯。

6.根據權利要求1或7所述的中間主芯片層經過強堿各向異性腐蝕，形成敏感膜區，并將組成惠斯通電橋的敏感電阻分別安置在最大應變區內。