[發(fā)明專利]基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410294039.9 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104075754A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙勇;張亞男;李晉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東北大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01D21/02 | 分類號(hào): | G01D21/02 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 110819 遼寧省沈*** | 國(guó)省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 流體 填充 光子 晶體 磁場(chǎng) 溫度 同時(shí) 測(cè)量方法 | ||
1.基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法,其特征在于:將兩種不同類型的磁流體分別填充在一個(gè)光子晶體波導(dǎo)平板中兩個(gè)不同區(qū)域(分別記為1#和2#填充區(qū)域)的空氣孔中,形成兩個(gè)級(jí)聯(lián)的光子晶體微腔,這樣光子晶體波導(dǎo)的輸出光譜中就會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)相互獨(dú)立的諧振谷(對(duì)應(yīng)于不同的諧振波長(zhǎng)),當(dāng)外界磁場(chǎng)或溫度發(fā)生變化時(shí),兩種磁流體的折射率均會(huì)發(fā)生不同程度的變化,最終使光子晶體波導(dǎo)輸出光譜中的兩個(gè)諧振波長(zhǎng)發(fā)生移動(dòng),且兩個(gè)諧振波長(zhǎng)對(duì)磁流體折射率變化的敏感度不一致,最后,采用雙波長(zhǎng)矩陣法,可以根據(jù)兩個(gè)諧振波長(zhǎng)的移動(dòng)量解調(diào)出磁場(chǎng)和溫度的變化量,實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)和溫度的同時(shí)測(cè)量。
2.如權(quán)利要求1所述的基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法,其特征在于:光子晶體波導(dǎo)為空氣橋結(jié)構(gòu),空氣孔呈等邊三角形排列,除2#填充區(qū)域外,其余空氣孔的半徑均為r=0.32a(其中a=447nm為光子晶體的晶格常數(shù),即相鄰空氣孔之間的間距),2#填充區(qū)域的空氣孔半徑為r2=0.30a,波導(dǎo)寬度為d=1.9052a,所選用的基底介質(zhì)為普通硅材料,其厚度為h=220nm,有效折射率為n=2.87。
3.如權(quán)利要求1所述的基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法,其特征在于:所填充的兩種磁流體分別是體積濃度為1.8%的水基Fe3O4(記為1#磁流體)和質(zhì)量濃度為0.85emu/g的水基Fe3O4(記為2#磁流體),對(duì)于1#磁流體,它的磁光系數(shù)(即,磁流體的折射率隨磁場(chǎng)的變化率)為KH1=1.50×10-5RIU/Oe,熱光系數(shù)(即,磁流體的折射率隨溫度的變化率)為KT1=-6.64×10-5RIU/K,而對(duì)于2#磁流體,它的磁光系數(shù)為KH2=1.71×10-5?RIU/Oe,熱光系數(shù)為KT2=-7.56×10-5?RIU/K。
4.如權(quán)利要求1所述的基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法,其特征在于:所述的兩個(gè)不同的填充區(qū)域分別是半徑為r1=0.32a的10個(gè)相鄰空氣孔(1#填充區(qū)域)和半徑為r2=0.30a的10個(gè)相鄰空氣孔(2#填充區(qū)域),它們均緊鄰于波導(dǎo)且位于波導(dǎo)的一側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法,其特征在于:所述的兩個(gè)級(jí)聯(lián)光子晶體微腔分別是將1#磁流體填充在1#填充區(qū)域形成1#光子晶體微腔,同時(shí)將2#磁流體填充在2#填充區(qū)域形成2#光子晶體微腔,1#光子晶體微腔的諧振波長(zhǎng)λ1在1520nm附近,其折射率靈敏度為K1=500nm/RIU,2#光子晶體微腔的諧振波長(zhǎng)λ2在1545nm附近,其折射率靈敏度為K2=520nm/RIU。
6.如權(quán)利要求1所述的基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法,其特征在于:當(dāng)兩個(gè)級(jí)聯(lián)的光子晶體微腔所受磁場(chǎng)由50Oe增加到200Oe時(shí),1#磁流體的折射率由1.3420變化到1.3440,同時(shí),2#磁流體的折射率由1.4623變化到1.4650,通過(guò)計(jì)算可得諧振波長(zhǎng)λ1的磁場(chǎng)變化靈敏度為0.0075nm/Oe,諧振波長(zhǎng)λ2的磁場(chǎng)變化靈敏度為0.0089nm/Oe。
7.如權(quán)利要求1所述的基于磁流體填充光子晶體微腔的磁場(chǎng)和溫度同時(shí)測(cè)量方法,其特征在于:當(dāng)兩個(gè)級(jí)聯(lián)的光子晶體微腔所受溫度由8K增加到60K時(shí),1#磁流體的折射率由1.3427變化到1.3385,同時(shí),2#磁流體的折射率由1.4671變化到1.4635,通過(guò)計(jì)算可得諧振波長(zhǎng)λ1的溫度變化靈敏度為-0.0332nm/K,諧振波長(zhǎng)λ2的溫度變化靈敏度為-0.0393nm/K。
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