[發明專利]R?VGF法生長高質量化合物半導體單晶工藝有效
| 申請號： | 201410293610.5 | 申請日： | 2014-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN104073872B | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 徐蘭蘭;張學鋒;王玉辰 | 申請（專利權）人： | 大慶佳昌晶能信息材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 163000 黑龍江省*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | vgf 生長 質量 化合物 半導體 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種R-VGF法生長高質量化合物半導體單晶工藝，其特征在于：即R-VGF(Rotation-Vertical Gradient Freeze)法，是在VGF法單晶生長工藝的基礎上，加入旋轉工藝，可獲得均勻分布的徑向溫場，有利于軸向溫場進行有效散熱，從而獲得適宜高質量單晶生長的溫場環境；在升溫熔料階段，轉速1～20r/min，在晶體生長降溫階段轉速1～10r/min，旋轉工藝中包含有旋轉裝置，旋轉裝置包括減速器(1)，減速器(1)通過聯軸器(2)連接有旋轉軸，旋轉軸的上端面固定有緊固套(5)，緊固套(5)的上端套在坩堝托(6)的下部，旋轉軸上安裝有軸承座(3)及軸承(4)；坩堝托(6)內安放坩堝(7)，安瓿瓶(8)罩在坩堝(7)的外面；
所述的聯軸器(2)為十字滑塊型聯軸器，所述的減速器(1)為蝸輪蝸桿減速機。
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