[發明專利]反應腔室以及利用該反應腔室的晶片加工方法

有效

• 申請號: 201410293061.1
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104037046B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 林志明
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 趙根喜,鄭特強

技術領域

本發明涉及晶片加工制造技術領域，尤其涉及用于晶片加工制造的反應腔室以及其晶片加工。

背景技術

在半導體的晶片加工以及制造技術領域，低溫多晶硅制作工藝中的干蝕刻工藝中，其干蝕刻工藝的真空機臺的腔室內，由于干蝕刻過程產生的副產物會沉積在腔室的內壁下部及真空腔壁內側，進而造成后續變更工藝時反應氣體與腔壁上的副產物發生反應，消耗了腔室內的反應氣體，造成蝕刻率下降，影響蝕刻控制，因此在變更工藝時須進行保養。

在干蝕刻真空機臺中，真空腔保養的現有做法，一般需要對腔體內壁進行清潔及零件更換。但是這種保養以及清潔會浪費大量人力及時間。造成生產效率下降，進而增加生產成本。

發明內容

本發明的目的在于提供一種反應腔室以及利用該反應腔室的晶片加工方法，以解決現有的反應腔室保養不方便的問題。

本發明提供的一種反應腔室，包括：一種反應腔室，包括：一腔室；及一晶片保持器，設置于該腔室內，該晶片保持器的邊緣與該腔室的側壁之間具有間隙，該晶片保持器的下側與該腔室的下壁以及側壁共同構成該腔室的下腔部，其中，該下腔部的該側壁和該下壁均設置有導引槽，用于可彎曲內襯自該間隙沿該側壁的該導引槽進入該下腔部，隨該下腔部的側壁以及下壁之間的彎折處而彎曲，并由該下壁的導引槽所導引，以設置于該下腔部的側壁以及下壁。

本發明一種反應腔室的一實施例中，其中該晶片保持器的下側設置有導引槽，用于另一或多個可彎曲內襯自該間隙沿該晶片保持器的下側的該導引槽導引，以設置于該晶片保持器的下側。

本發明一種反應腔室的一實施例中，其中，還包括一擴散器，設置于該下腔部內；一抽氣泵，抽氣泵自腔室的下壁穿入腔室內；一下電極，設置于該晶片保持器上；以及一上電極，設置于該下電極的上方，該下電極以及該上電極之間具有空間，該供放置于該晶片保持器上的該晶片反應；其中，該腔室為真空腔室。

本發明提供的另一種反應腔室，其中，包括：一腔室；一晶片保持器，設置于該腔室內，該晶片保持器的邊緣與該腔室的側壁之間具有間隙，該晶片保持器的下側與該腔室的下壁以及側壁共同構成該腔室的下腔部；及至少一可彎曲內襯，設置于該下腔部的該下壁和該側壁上和/或設置于該晶片保持器的下側。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，該下腔部的該側壁和該下壁均設置有導引槽，用于可彎曲內襯自該間隙沿該側壁的該導引槽進入該下腔部，隨該下腔部的側壁以及下壁之間的彎折處而彎曲，并由該下壁的導引槽所導引，以設置于該下腔部的側壁以及下壁。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，其中該晶片保持器的下側設置有導引槽，用于另一或多個可彎曲內襯自該間隙沿該晶片保持器的下側的該導引槽導引，以設置于該晶片保持器的下側。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，還包括一擴散器，設置于該下腔部內；一抽氣泵，抽氣泵自腔室的下壁穿入腔室內；一下電極，設置于該晶片保持器上；以及一上電極，設置于該下電極的上方，該下電極以及該上電極之間具有空間，該供放置于該晶片保持器上的該晶片反應；其中，該腔室為真空腔室。本發明一種反應腔室的內襯結構的一實施例中，其中，該可彎曲內襯上設置有與各該導引槽相匹配的插入件，以使得該可彎曲內襯插入至各該導引槽。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，該可彎曲內襯包括：多個條狀蓋板，該多個條狀蓋板成一列排布，兩該條狀蓋板的長邊活動連接，每一該條狀蓋板的長邊的長度與該下腔部的側壁以及下壁的寬度相匹配，以使得該可彎曲內襯能夠沿該導引槽進入該下腔部后，覆蓋該下腔部的側壁以及下壁。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，該條狀蓋板的長邊上設置有卡鉤，該條狀蓋板之間通過卡鉤連接。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，該條狀蓋板之間鉸接連接。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，該多個條狀蓋板的材料為鋁合金，該鋁合金的表面涂敷有三氧化二鋁或三氧化二釔。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，該可彎曲內襯面向該下腔部內側的表面上涂敷有陽極防腐材料。

本發明另一種反應腔室的一實施例中，其中，其中該可彎曲內襯為一個或多個具有一定硬度的整體軟板。

本發明另外還提供了一種晶片加工方法，其包括，利用上述任一種反應腔室進行第一晶片加工步驟，在完成第一晶片加工步驟之后，更換可彎曲內襯；及進行第二晶片加工步驟。

本發明一種晶片加工方法的一實施例，其中，所述第一和/或第二晶片加工步驟為干法蝕刻。