[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于MWCNTs-QDs的納米熒光仿生傳感器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410293007.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104062275A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱利民;丁兆強(qiáng);聶華麗;陶磊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東華大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N21/64 | 分類(lèi)號(hào): | G01N21/64 |
| 代理公司: | 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233 | 代理人: | 黃志達(dá) |
| 地址: | 201620 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 mwcnts qds 納米 熒光 仿生 傳感器 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于仿生傳感器及其制備領(lǐng)域,特別涉及一種基于MWCNTs-QDs的納米熒光仿生傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)
分子印跡技術(shù)是根據(jù)自然界中抗原和抗體間特異性分子識(shí)別原理,采用人工方法制備對(duì)特定目標(biāo)分子(印跡分子或稱(chēng)模板分子)具有特異選擇性和親和性聚合物的技術(shù)。基于分子印跡技術(shù)制備的分子印跡聚合物具有與模板分子相匹配的三維印跡孔穴結(jié)構(gòu)即分子識(shí)別位點(diǎn)。最近十幾年來(lái),分子印跡技術(shù)特別是在合成技術(shù)、應(yīng)用領(lǐng)域、理論研究等方面獲得了突飛猛進(jìn)的發(fā)展,分子印跡聚合物作為一種新型分子識(shí)別材料,其特有的構(gòu)型預(yù)定性、特異識(shí)別性以及廣泛實(shí)用性使其被廣泛應(yīng)用于色譜固定相、固相萃取、膜分離、免疫分析、信號(hào)傳導(dǎo)、抗體模擬以及藥物緩釋等多個(gè)領(lǐng)域。
碳納米管(carbon nanotube,CNT)作為一種重要而有代表性的納米材料,近年來(lái)在納米醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用研究。超支化聚合物聚乙烯亞胺修飾碳納米管不僅可以提高其分散性,還能引入一些活性官能團(tuán),從而降低其毒性,增加生物相容性等。除了單一的碳納米管具有廣泛的應(yīng)用前景外,近年來(lái)以碳納米管為載體負(fù)載量子點(diǎn)構(gòu)建的新型熒光標(biāo)識(shí)物也受到廣泛的關(guān)注。量子點(diǎn)(Quantum dot,QD)是一種半徑小于或接近于激子波爾半徑的半導(dǎo)體納米晶,能夠被紫外區(qū)到紅外區(qū)的任一波長(zhǎng)的光激發(fā),發(fā)射熒光,即具有光致發(fā)光的特性。與有機(jī)熒光染料相比,其激發(fā)光波長(zhǎng)寬、發(fā)射光譜窄而對(duì)稱(chēng)、熒光穩(wěn)定性好、量子產(chǎn)率高等一系列優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì)。以親水性化合物為修飾劑制備的量子點(diǎn)由于可以進(jìn)行生物偶聯(lián)因而被直接用于生物領(lǐng)域。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種基于MWCNTs-QDs的納米熒光仿生傳感器及其制備方法,本發(fā)明與傳統(tǒng)的分子印跡聚合物相比,采用表面印跡的方式合成的納米熒光傳感器有效識(shí)別位點(diǎn)多,且接近表面,比表面積大,易于選擇性識(shí)別模板分子。
本發(fā)明的一種基于MWCNTs-QDs的納米熒光仿生傳感器,以MWCNTs-QDs納米復(fù)合材料為載體,BSA為模板分子,結(jié)合分子印跡技術(shù)的高選擇性和MWCNTs-QDs的熒光特性制備特異性識(shí)別BSA的納米仿生傳感器。
本發(fā)明的一種基于MWCNTs-QDs的納米熒光仿生傳感器的制備方法,包括:
(1)將鎘源、穩(wěn)定劑溶于雙蒸水中,調(diào)節(jié)pH為8.5-9.5,然后在攪拌條件下通氮?dú)?0-30min,得到Cd2+前驅(qū)液;其中鎘源、穩(wěn)定劑、雙蒸水的比例關(guān)系為0.125-0.25mmol:0.3-0.6mmol:100-200mL;
(2)將碲源加入上述Cd2+前驅(qū)液中,然后在100℃下,通氮?dú)饣亓?0-120min,提純,復(fù)溶于雙蒸水中,得到CdTe量子點(diǎn)溶液;其中Cd2+:穩(wěn)定劑:碲源的摩爾濃度比為1-2:2.4-4.8:1-2;
(3)將鎘源、硫代乙酰胺TAA、穩(wěn)定劑溶于雙蒸水中,調(diào)節(jié)pH為8.5-9.5,攪拌下通氮?dú)?0min,得到CdS包殼溶液,然后加入步驟(2)所得溶液,在100℃下通氮?dú)饣亓?0-120min,提純,復(fù)溶于雙蒸水中,得到CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)溶液;其中鎘源、TAA、穩(wěn)定劑、雙蒸水的比例關(guān)系為:0.125-0.25mmol:0.125-0.25mmol:0.6-1.2mmol:200ml;其中CdS包殼溶液中Cd2+:穩(wěn)定劑:S2-的摩爾濃度比為1-2:4.8-9.6:1-2;
(4)將MWCNTs-COOH、催化劑加入溶劑中,超聲3h,然后加入PEI,超聲反應(yīng)24h,透析,得到PEI-MWCNTs;其中MWCNTs-COOH、催化劑、溶劑、PEI的比例為0.1-0.2g:0.1-0.2g:10-20mL:0.15-0.3g;
(5)將CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、交聯(lián)劑加入雙蒸水中,超聲3h,然后再加入PEI-MWCNTs,超聲反應(yīng)24h,透析,即得碳納米管-碲化鎘/硫化鎘納米復(fù)合材料MWCNTs-CdTe/CdS;其中CdTe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、交聯(lián)劑、PEI-MWCNTs的質(zhì)量比為0.01-0.02:0.04-0.08:0.02-0.04;
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專(zhuān)用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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