[發明專利]一種存儲器抗腐蝕拋光液在審
| 申請號: | 201410291901.0 | 申請日: | 2014-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN104046263A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 范向奎 | 申請(專利權)人: | 青島寶泰新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C09G1/02 | 分類號: | C09G1/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266000 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 存儲器 腐蝕 拋光 | ||
技術領域
本發明涉及一種存儲器抗腐蝕拋光液。
背景技術
相變存儲器因具有高速讀取、高可擦寫次數、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強震動和抗輻射、成本具有競爭力等優點,而被國際半導體行業協會認為是最有可能取代目前的閃存存儲器的下一代非易失性存儲器。相變存儲器技術的基本原理是以硫系化合物為存儲介質,利用電能使材料在晶態與非晶態(高阻)之間相互轉換實現信息的寫入與擦除,信息的讀出則靠測量電阻的變化實現。存儲單元包括由電介質材料定義的細孔,相變材料沉積在細孔中,相變材料在細孔的一端上連接電極。電極接觸使電流通過該通道產生焦耳熱對該單元進行編程,或者讀取該單元的電阻狀態。
目前,在構建相變存儲單元時,通行的做法是:先通過磁控濺射的方法沉積相變材料在由電介質材料定義的細孔中,然后通過反應離子刻蝕CRIE)或者化學機械拋光的方法,將細空上方的相變材料進行去除。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種存儲器抗腐蝕拋光液。
為解決上述技術問題,本發明采用的技術方案是:
一種存儲器抗腐蝕拋光液,其特征在于,包括下列重量份數的物質:烷基芳基磺酸鈉7-16份,磷酸三鈉9-11份,氯化鋁5-8份,氯化鉀9-13份,雙酚A型聚碳酸酯14-23份,苯甲酸甲酯8-14份,聚乙烯醇11-14份,酒石酸5-7份,氯化鈉6-13份,鋅粉7-14份,氧化鉛1-2份,羥乙基纖維素2-6份,氯化鈣3-7份,助溶劑1-3份,潤濕劑2-5份,十二烷基苯磺酸鈉1-2份。
本發明的拋光液性能穩定,拋光效果好,可滿足制備納電子相變存儲器中工藝的需要。
具體實施方式
實施例1
一種存儲器抗腐蝕拋光液,其特征在于,包括下列重量份數的物質:烷基芳基磺酸鈉7-16份,磷酸三鈉9-11份,氯化鋁5-8份,氯化鉀9-13份,雙酚A型聚碳酸酯14-23份,苯甲酸甲酯8-14份,聚乙烯醇11-14份,酒石酸5-7份,氯化鈉6-13份,鋅粉7-14份,氧化鉛1-2份,羥乙基纖維素2-6份,氯化鈣3-7份,助溶劑1-3份,潤濕劑2-5份,十二烷基苯磺酸鈉1-2份。
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