[發明專利]藍寶石圖形襯底晶片及制備方法在審
| 申請號： | 201410289596.1 | 申請日： | 2014-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN104051584A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 王文軍;郭金霞;趙冀;王莉;伊曉燕;王軍喜;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/20;B24B1/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 藍寶石 圖形 襯底 晶片 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種藍寶石圖形襯底制備方法，包括如下步驟：
步驟1：對藍寶石切割片進行雙面研磨，形成藍寶石粗磨晶片；
步驟2：對所述藍寶石粗磨晶片進行單面精密研磨，形成藍寶石精磨晶片；
步驟3：在所述未經精拋的藍寶石精磨晶片上直接形成刻蝕圖形化結構，所述刻蝕圖形化結構與藍寶石精磨晶片上的粗化表面共同提高藍寶石圖形襯底光提取效率。
2.如權利要求1所述的藍寶石圖形襯底制備方法，其中所述藍寶石粗磨晶片的表面粗糙度為0.8微米至1.2微米之間。
3.如權利要求1所述的藍寶石圖形襯底制備方法，其中所述藍寶石精磨晶片的粗糙度為0.01微米至0.1微米之間。
4.如權利要求1所述的藍寶石圖形襯底制備方法，其中所述刻蝕圖形化結構的高度為1.0微米到2.5微米之間，圖形底部的尺寸為1.5微米到4.5微米之間，圖形節距在2.0微米到5.0微米之間。
5.如權利要求1所述的藍寶石圖形襯底制備方法，其中所述刻蝕圖形化結構是采用干法或濕法刻蝕。
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