[發(fā)明專利]離子注入的監(jiān)控方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410289586.8
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN104091767B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發(fā)明（設計）人: 田慧
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種離子注入的監(jiān)控方法，其特征在于，包括：

a、提供監(jiān)控片，并在所述監(jiān)控片上形成部分覆蓋的掩膜層；

b、進行離子注入制程，對所述監(jiān)控片進行預定劑量的雜質(zhì)離子注入，所述監(jiān)控片上未被所述掩膜層覆蓋區(qū)域為雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域，所述監(jiān)控片上被所述掩膜層覆蓋區(qū)域為雜質(zhì)未注入?yún)^(qū)域；

c、剝離所述監(jiān)控片上的掩膜層；

d、對所述監(jiān)控片進行氧化處理；

e、分別測試所述監(jiān)控片上所述雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域和所述雜質(zhì)未注入?yún)^(qū)域的氧化層厚度，根據(jù)所述雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域和所述雜質(zhì)未注入?yún)^(qū)域的氧化層厚度比值，監(jiān)測離子注入的雜質(zhì)劑量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟d具體為：

在高溫退火爐中進行對所述監(jiān)控片進行氧化處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟d中，

氧化處理的溫度為800～1000℃，氧化處理的時間為1～2h，氧氣的流量為400～500ml/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟e中，

采用變角X射線光電子能譜的方法測試所述雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域和所述雜質(zhì)未注入?yún)^(qū)域的氧化層厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟b中，

離子注入的雜質(zhì)離子為B+，或者P+，或者As+。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層為光刻膠層；步驟a中，

通過在所述監(jiān)控片上涂覆光刻膠再經(jīng)光刻的方法，形成所述掩膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，

所述監(jiān)控片上所述掩膜層覆蓋區(qū)域與未覆蓋區(qū)域的面積比值為1：1。