[發明專利]一種陣列基板的制造方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201410289560.3
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN104078423A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 龍春平;梁逸南;劉政;田雪雁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：

通過一次構圖工藝在基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極和柵線的圖案；

在形成有所述有源層、柵極絕緣層、柵極和柵線的基板上形成鈍化層，并通過一次構圖工藝在所述鈍化層上形成過孔；

通過一次構圖工藝在形成有所述鈍化層的基板上形成數據線、源漏極及像素電極的圖案，所述漏極通過所述過孔與所述有源層接觸。

2.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過一次構圖工藝在基板上形成有源層、柵極絕緣層、柵極和柵線的圖案的步驟具體包括：

依次形成多晶硅薄膜、柵極絕緣薄膜及柵金屬薄膜；

在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；

采用半透式掩膜版對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠全保留區域、光刻膠半保留區域以及光刻膠去除區域，其中，所述光刻膠全保留區域對應柵極和柵線區域，所述光刻膠半保留區域對應有源層的源漏接觸區域，所述光刻膠去除區域對應除所述光刻膠全保留區域及所述光刻膠半保留區域之外的其他區域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區域的多晶硅薄膜、柵極絕緣薄膜及柵金屬層薄膜，形成柵極絕緣層和有源層的圖案；

利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區域的柵金屬層薄膜，形成柵極及柵線的圖案；

剝離所述光刻膠完全保留區域的光刻膠。

3.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板為頂發射型，所述通過一次構圖工藝在形成有所述鈍化層的基板上形成數據線、源漏極及像素電極的圖案的步驟包括：

依次形成源漏金屬薄膜和透明導電薄膜；

在所述透明導電薄膜上涂覆光刻膠；

對所述透明導電薄膜上的光刻膠進行曝光、顯影后，形成對應源漏極、數據線及像素電極區域的光刻膠保留區域及除所述光刻膠保留區域之外的光刻膠去除區域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區域的源漏極金屬薄膜以及透明導電薄膜，形成源極、漏極、數據線及像素電極的圖案；其中，所述源極由位于所述源極區域的源漏金屬薄膜及透明導電薄膜組成，所述漏極由位于所述漏極區域的源漏金屬薄膜及透明導電薄膜組成，所述數據線由位于所述數據線區域的源漏金屬薄膜及透明導電薄膜組成；

剝離所述光刻膠保留區域的光刻膠。

4.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述陣列基板為底發射型，所述通過一次構圖工藝在形成有所述鈍化層的基板上形成數據線、源漏極及像素電極的圖案的步驟包括：

依次形成透明導電薄膜和源漏金屬薄膜；

在所述源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠；

采用半透式掩膜版對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠全保留區域、光刻膠半保留區域以及光刻膠去除區域，其中，所述光刻膠全保留區域對應源漏極和數據線區域，所述光刻膠半保留區域對應像素電極區域，所述光刻膠去除區域對應除所述光刻膠全保留區域及所述光刻膠半保留區域之外的其他區域；

采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區域的源漏金屬薄膜和透明導電薄膜，形成源極、漏極和數據線的圖案，其中，所述源極由位于所述源極區域的源漏金屬薄膜及透明導電薄膜組成，所述漏極由位于所述漏極區域的源漏金屬薄膜及透明導電薄膜組成，所述數據線由位于所述數據線區域的源漏金屬薄膜及透明導電薄膜組成；

利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠；

利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區域的透明導電薄膜，形成像素電極的圖案；

剝離所述光刻膠完全保留區域的光刻膠。

5.根據權利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過一次構圖工藝在形成有所述鈍化層的基板上形成數據線、源漏極及像素電極的圖案的步驟之后還包括：

通過一次構圖工藝形成像素定義層。