[發明專利]LTCC基板空腔結構缺陷的控制方法有效
| 申請號： | 201410289414.0 | 申請日： | 2014-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN104103525B | 公開（公告）日： | 2017-05-24 |
| 發明（設計）人： | 林奈;謝義水;閻德勁;馮剛英 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十研究所 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H05K3/00 |
| 代理公司： | 成飛(集團)公司專利中心51121 | 代理人： | 郭純武 |
| 地址： | 610036 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ltcc 空腔 結構 缺陷 控制 方法 | ||
1.一種LTCC基板空腔結構缺陷的控制方法，其特征在于包括如下步驟：首先將帶空腔結構生瓷片通過自動疊層機或者銷釘定位與底層生瓷片疊層在一起，通過溫水等靜壓進行第一次層壓；層壓完成后在空腔內部填充碳基犧牲材料，再與頂層生瓷片和底部約束層疊層在一起，通過溫水等靜壓進行第二次層壓；隨后，放在燒結爐中的多孔板上進行共燒，將腔體內犧牲材料完全揮發后，再在頂部依次放上多孔板和壓力板，燒結至850～900℃，完成帶封閉空腔的LTCC基板制作。
2.如權利要求1所述的LTCC基板空腔結構缺陷的控制方法，其特征在于：第一次等靜壓層壓壓力為2MPa～3MPa、層壓溫度控制在30℃～35℃、層壓時間為5min～10 min。
3.如權利要求1所述的LTCC基板空腔結構缺陷的控制方法，其特征在于：第二次等靜壓層壓壓力為20MPa～25MPa，層壓溫度控制在70℃～80℃、層壓時間為10min～15 min。
4.如權利要求1所述的LTCC基板空腔結構缺陷的控制方法，其特征在于：完成LTCC生瓷片和約束層二次層壓后，放在燒結爐的多孔板上，以1℃/min的升溫速率加熱至450℃，保持至少2h，使空腔內填充的犧牲材料通過頂層生瓷片的出口完全揮發，同時完成LTCC生瓷片排膠過程。
5.如權利要求1所述的LTCC基板空腔結構缺陷的控制方法，其特征在于：LTCC完成排膠和犧牲材料揮發后，頂部依次放上多孔板和質量為0.5～1kg的壓力板，以5℃/min的升溫速率加熱至850～900℃，保持至少30min；完成生瓷片燒結后，再研磨掉底部約束層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
