[發(fā)明專利]LED的P型外延層、其制作方法及包括其的LED外延片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410289309.7 | 申請日： | 2014-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN104064643B | 公開（公告）日： | 2017-01-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 馬歡;田艷紅;徐迪;季輝;王新建 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 長沙智嶸專利代理事務所43211 | 代理人： | 黃子平 |
| 地址： | 423038 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 外延 制作方法 包括 | ||
1.一種LED的P型外延層，其特征在于，所述P型外延層包括：
量子阱保護層(10)，設置于所述LED中的量子阱層上，所述量子阱保護層(10)由AlGaN/InGaN超晶格組成；
低溫P型GaN層(20)，設置于所述量子阱保護層(10)上；
低溫電子阻擋層(30)，設置于所述低溫P型GaN層(20)上，所述低溫電子阻擋層(30)由P型AlInGaN組成；
高溫電子阻擋層(40)，設置于所述低溫電子阻擋層(30)上，所述高溫電子阻擋層(40)由P型AlGaN/P型InGaN超晶格組成；
高溫P型GaN層(50)，設置于所述高溫電子阻擋層(40)上。
2.根據(jù)權利要求1所述的P型外延層，其特征在于，
所述量子阱保護層(10)中，所述AlGaN/InGaN超晶格中Al組分濃度為1E19～1.0E20atom/cm3，In組分濃度為1E18～1E19atom/cm3；
所述低溫電子阻擋層(30)中，所述P型AlInGaN為Mg摻雜AlInGaN，其中Mg組分濃度為5E19-1.5E20atom/cm3，Al組分濃度為5E19～1E20atom/cm3，In組分濃度為1E18～1E19atom/cm3；
所述高溫電子阻擋層(40)中，所述P型AlGaN/P型InGaN超晶格為Mg摻雜AlGaN/Mg摻雜InGaN超晶格，其中Mg組分濃度為1E19-5E19atom/cm3，Al組分濃度為1E19-1E20atom/cm3，In組分濃度為1E18～5E19atom/cm3。
3.根據(jù)權利要求2所述的P型外延層，其特征在于，
所述量子阱保護層(10)中，所述AlGaN/InGaN超晶格包括3～10組交替設置的AlGaN層(11)和InGaN層(13)，各所述AlGaN層(11)的厚度為0.5～3nm，各所述InGaN層(13)的厚度為0.5～3nm，所述AlGaN/InGaN超晶格的總厚度為10～50nm；
所述低溫電子阻擋層(30)的厚度為20～50nm；
所述高溫電子阻擋層(40)中，所述P型AlGaN/P型InGaN超晶格包括5～10組交替設置的P型AlGaN層(41)和P型InGaN層(43)，每組所述P型AlGaN層(41)和所述P型InGaN層(43)的厚度為2～8nm，各所述P型AlGaN和各所述P型InGaN層(43)的厚度比為0.5～2，所述P型AlGaN/P型InGaN超晶格的厚度為30～80nm。
4.根據(jù)權利要求1所述的P型外延層，其特征在于，
所述低溫P型GaN層(20)為Mg摻雜P型GaN層，其中Mg組分濃度為5E19～1.5E20atom/cm3，所述低溫P型GaN層(20)的厚度為20～50nm；
所述高溫P型GaN層(50)為Mg摻雜P型GaN層，其中Mg組分濃度為5E19～1.5E20atom/cm3，所述高溫P型GaN層(50)的厚度為50～200nm。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的P型外延層，其特征在于，所述P型外延層還包括設置于所述高溫P型GaN層(50)上的P型接觸層，所述P型接觸層為Mg摻雜InGaN層。
6.根據(jù)權利要求5所述的P型外延層，其特征在于，所述P型接觸層中Mg組分濃度為1E20～5E20atom/cm3，In組分濃度為1E18～1E19atom/cm3，所述P型接觸層的厚度為5～10nm。
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