[發(fā)明專利]一種圓片級芯片扇出封裝方法及其封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410288940.5
• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN104037133B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設計）人: 郭洪巖;張黎;陳錦輝;賴志明
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L23/31
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司32200
• 代理人: 彭英

1.一種圓片級芯片扇出封裝方法，該方法包括：

取一硅晶圓，在所述硅晶圓上刻蝕若干個陣列排布的淺硅腔體；

在所述硅晶圓的上表面及淺硅腔體的表面設置介電層，再在所述介電層的表面選擇性地設置再布線層Ⅰ；

在所述硅晶圓的上表面的再布線層Ⅰ上制備若干個金屬凸塊，所述金屬凸塊與再布線層Ⅰ固連；

將制備有芯片表面金屬凸點的若干個待封裝芯片倒裝至所述淺硅腔體的底部，并與所述再布線層Ⅰ形成電氣連接；

對制備有金屬凸塊和完成待封裝芯片倒裝的硅晶圓進行塑封，形成塑封體；

將所述塑封體的頂部進行研磨拋光，形成研磨面并露出金屬凸塊的上表面；

在塑封體的研磨面選擇性地制備再布線層Ⅱ，所述再布線層Ⅱ與上述金屬凸塊的上表面固連；

在再布線層Ⅱ的表面設置鈍化層，并形成若干個鈍化層開口，所述鈍化層開口內(nèi)設置焊錫球；

?將硅晶圓的下表面進行研磨減薄；

?將上述完成封裝的硅晶圓切割成單顆封裝體。

2.如權(quán)利要求1所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：所述淺硅腔體的刻蝕深度為100微米到200微米。

3.如權(quán)利要求1所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：對制備有金屬凸塊和完成待封裝芯片倒裝的硅晶圓進行塑封前還包括步驟：用底填料對待封裝芯片與淺硅腔體之間的空間進行填充。

4.如權(quán)利要求1所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：將所述塑封體的頂部進行研磨拋光，形成研磨面并露出金屬凸塊的上表面還包括步驟：通過激光燒蝕或刻蝕方法在金屬凸塊的上方開設塑封開口，露出金屬凸塊的上表面。

5.如權(quán)利要求1所述的一種圓片級芯片扇出封裝結(jié)構(gòu)，其特征方法：所述金屬凸塊和芯片表面金屬凸點的材質(zhì)為銅。

6.如權(quán)利要求5所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：所述金屬凸塊呈陣列排布。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：所述金屬凸塊的上表面高于待封裝芯片的背面，其邊界尺寸大于80微米。

8.如權(quán)利要求7所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：所述金屬凸塊的高度為50到100微米。

9.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：所述芯片表面金屬凸點的高度為15微米到35微米，其邊界尺寸大于60微米。

10.如權(quán)利要求9所述的一種圓片級芯片扇出封裝方法，其特征在于：所述芯片表面金屬凸點呈陣列排布。