[發明專利]圖像拾取裝置、制造圖像拾取裝置的方法以及電子設備

有效

• 申請號: 201410288729.3
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN104282701B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 宮波勇樹
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/339
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種圖像拾取裝置，包括：

光敏二極管，設置在硅基板中，并且構造為通過執行光電轉換產生與所接收光量對應的電荷；以及

轉移晶體管，設置在該硅基板上的外延層，并且構造為轉移該光敏二極管中產生的電荷，

其中該轉移晶體管包括柵極電極和溝道區域，該柵極電極埋設在該外延層中，且該溝道區域圍繞該柵極電極，并且

該溝道區域在厚度方向上具有電位梯度的曲率不存在正負號混合的濃度梯度。

2.根據權利要求1所述的圖像拾取裝置，其中，在執行原位摻雜外延生長的過程中，通過在厚度方向上設置濃度分布而形成該溝道區域。

3.根據權利要求2所述的圖像拾取裝置，其中該溝道區域具有厚度方向上的濃度梯度的曲率不存在正負號混合的濃度分布。

4.根據權利要求3所述的圖像拾取裝置，其中

該溝道區域在該厚度方向上具有一個導電類型，并且

該溝道區域是單層。

5.根據權利要求4所述的圖像拾取裝置，其中

該外延層包括貫穿該外延層的溝槽，

該柵極電極形成為填充該溝槽，并且

該溝道區域形成在該溝槽的側面上及與該側面接觸的位置上。

6.根據權利要求5所述的圖像拾取裝置，其中

該硅基板包括設置在該硅基板的位于該光敏二極管正上方的一部分中的雜質區域，該雜質區域的濃度低于該光敏二極管的雜質濃度，并且

該溝槽的底部與該雜質區域接觸。

7.一種電子設備，包括：

圖像拾取裝置；以及

信號處理電路，構造為對從該圖像拾取裝置輸出的信號執行預定的處理，

其中該圖像拾取裝置包括

光敏二極管，設置在硅基板中，并且構造為通過執行光電轉換產生與所接收光量對應的電荷，以及

轉移晶體管，設置在該硅基板上的外延層，并且構造為轉移該光敏二極管中產生的電荷，

該轉移晶體管包括柵極電極和溝道區域，該柵極電極埋設在該外延層中，且該溝道區域圍繞該柵極電極，并且

該溝道區域在厚度方向上具有電位梯度的曲率不存在正負號混合的濃度梯度。

8.一種制造圖像拾取裝置的方法，該方法包括：

通過執行原位摻雜外延生長在硅基板的頂表面上形成具有濃度分布的外延層，厚度方向上的電位梯度的曲率在該濃度分布中不存在正負號混合，并且該硅基板包括光敏二極管，其構造為通過執行光電轉換產生與所接收光量對應的電荷；以及

通過轉化該外延層的一部分在該外延層中的該光敏二極管的正上方形成溝道區域，該溝道區域具有厚度方向上的電位梯度的曲率不存在正負號混合的濃度梯度。

9.根據權利要求8所述的制造圖像拾取裝置的方法，其中該溝道區域具有厚度方向上的濃度梯度的曲率不存在正負號混合的濃度分布。

10.根據權利要求9所述的制造圖像拾取裝置的方法，其中

該溝道區域在該厚度方向上具有一種導電類型，并且

該溝道區域是單層。