[發(fā)明專利]電光學裝置、電光學裝置的制造方法以及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410286203.1 | 申請日: | 2014-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN104253234B | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 巖田信一 | 申請(專利權(quán))人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 舒艷君,李洋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學 裝置 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種電光學裝置,其特征在于,具備:
基板;
發(fā)光元件,其包括設置在所述基板上的第1電極、第2電極以及有機發(fā)光層,其中,所述第2電極與所述第1電極對置配置,所述有機發(fā)光層配置在所述第1電極與第2電極之間;
密封層,其以覆蓋所述發(fā)光元件的方式設置在所述發(fā)光元件上;以及
光學層,其設置在所述密封層上,以樹脂材料形成,
所述密封層具有凸狀部,該凸狀部以包圍所述密封層的中央部的方式配置在外邊緣部且被形成為膜厚比所述中央部厚,
所述密封層包括第1密封層以及以覆蓋所述第1密封層的方式形成的第2密封層,
所述第2密封層的外周端部配置在所述第1密封層的外周端部與所述基板的端部之間,
所述凸狀部配置在所述第2密封層的外周端部與配置有所述發(fā)光元件的區(qū)域之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學裝置,其特征在于,
所述第1密封層由樹脂材料形成,所述第2密封層由無機材料形成,
所述密封層的所述凸狀部反映以包圍所述第1密封層的中央部的方式配置在所述第1密封層的外邊緣部的凸狀部的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學裝置,其特征在于,
所述密封層的所述凸狀部以在俯視時包圍配置有所述發(fā)光元件的區(qū)域的方式設置,
所述光學層與所述密封層的所述凸狀部相比被配置在內(nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學裝置,其特征在于,
所述密封層的所述凸狀部的厚度為所述光學層的厚度的50%以上且400%以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光學裝置,其特征在于,
所述密封層的所述凸狀部的厚度為所述光學層的厚度的50%以上且400%以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的電光學裝置,其特征在于,
所述光學層包括被層疊的兩層以上的層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的電光學裝置,其特征在于,
所述光學層包括濾色層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光學裝置,其特征在于,
所述光學層包括濾色層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的電光學裝置,其特征在于,
所述光學層包括微透鏡陣列。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電光學裝置,其特征在于,
所述光學層包括微透鏡陣列。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電光學裝置,其特征在于,
所述光學層包括微透鏡陣列。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電光學裝置,其特征在于,
所述光學層包括微透鏡陣列。
13.一種電子設備,其特征在于,
具備權(quán)利要求1~12中任一項所述的電光學裝置。
14.一種電光學裝置的制造方法,其特征在于,具備:
在基板上配置第1電極、有機發(fā)光層以及第2電極而形成發(fā)光元件的工序;
在所述發(fā)光元件上以覆蓋所述發(fā)光元件的方式層疊第1密封層和第2密封層而形成密封層的工序;以及
在所述密封層上涂覆樹脂材料而形成光學層的工序,
在形成所述第1密封層的工序中,在所述第1密封層的外邊緣部形成膜厚比中央部厚的凸狀部,
在形成所述第1密封層的工序中,隔著具有所述樹脂材料通過的第1部分、和被配置成包圍所述第1部分且所述樹脂材料不通過的第2部分的印網(wǎng)掩模涂覆所述樹脂材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電光學裝置的制造方法,其特征在于,
使所述印網(wǎng)掩模的所述第2部分的厚度變化。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電光學裝置的制造方法,其特征在于,
使開口率在所述印網(wǎng)掩模的所述第1部分的外邊緣部和中央部中不同。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電光學裝置的制造方法,其特征在于,
使開口率在所述印網(wǎng)掩模的所述第1部分的外邊緣部和中央部中不同。
18.根據(jù)權(quán)利要求14~17中任一項所述的電光學裝置的制造方法,其特征在于,
形成所述光學層的工序包括形成多個著色層的工序,
在形成所述多個著色層的工序中,最后形成所述多個著色層中的膜厚最厚的所述著色層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





