[發明專利]一種有機發光顯示面板、裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201410284218.4 | 申請日: | 2014-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN104091818B | 公開(公告)日: | 2017-09-29 |
| 發明(設計)人: | 熊志勇;曾章和;錢棟 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 發光 顯示 面板 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種有機發光顯示面板、裝置,以及其制造方法。
背景技術
有機發光顯示(OLED)利用電激發的有機熒光化合物發光,不需要背光源,體積小,攜帶輕便。除此之外,還具有寬視角、響應速度快等優點。
有機發光裝置具有陰極和陽極,二者中間有由有機化合物組成的有機膜。當向陰極、陽極上施加電壓時,施加正電壓的電極中,空穴通過空穴傳輸層(HTL)遷移到有機發光層,施加負電壓的電極中,電子通過電子傳輸層(ETL)遷移到有機發光層,空穴和電子在有機發光層中發生復合產生激子,激子被激發后發出光,為OLED顯示提供光源。
發明內容
本發明旨在提供一種有機發光顯示面板,包括:基板;薄膜晶體管,設置于所述基板上,所述薄膜晶體管包含源極和漏極;輸電線,設置于所述基板上方;輔助電極,與所述輸電線電連接;信號輸入端,與所述輸電線電連接,提供輸入信號;所述輔助電極與所述輸電線組成的電阻,在遠離所述信號輸入端側的第一長度的總電阻小于靠近所述信號輸入端側的第一長度的總電阻。
本發明還提供了一種有機發光顯示裝置,包含上述有機發光顯示面板。
本發明還提供了一種有機發光顯示面板的制造方法,包含:提供一基板;在所述基板上形成包含源極、漏極的薄膜晶體管;形成輸電線;在薄膜晶體管上方形成第一電極,第一電極與源極或漏極電連接;形成電阻變化的輔助電極,輔助電極與輸電線電連接;在第一電極上方形成有機層;在有機層上方形成第二電極。
本發明具有如下一種或多種的技術效果:
1、減緩輸電線上的電壓降。
2、使得壓降明顯的區域獲得更大的補償,使輸電線壓降值更小。
3、在補償壓降的同時,不影響面板走線,不影響面板開口率。
附圖說明
圖1為現有技術中OLED裝置的像素平面圖;
圖2為現有技術中OLED裝置的像素截面圖;
圖3為本發明一實施例中OLED裝置的像素截面圖;
圖4為本發明一實施例中OLED裝置的平面圖;
圖5為本發明一實施例中OLED裝置的平面圖;
圖6為本發明一實施例中OLED裝置的平面圖;
圖7為本發明一實施例中OLED裝置的像素截面圖;
圖8a-圖8c為本發明一實施例中電阻值模擬數據圖;
圖9為本發明的有機發光顯示裝置示意圖。
具體實施方式
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的幾種實施例,而非全部實施方式,基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
請參照圖1,為現有技術中OLED裝置的俯視圖,OLED裝置中包含多個像素,柵極線101與數據線102絕緣交叉,圍成一個像素單元。輸電線108,平行于數據線102設置。每個像素單元中包含至少兩個薄膜晶體管(TFT),其中,圖1中110為開關TFT,120為驅動TFT。開關TFT110接收柵極線101的信號,控制開關,將數據線102上傳來的信號輸入到驅動TFT,驅動TFT進一步地控制輸電線108輸入到OLED器件中的電流大小。一般來講,OLED裝置中還可以進一步地包含一個或多個存儲電容(圖中未示出),用于存儲開關TFT110傳輸的數據信號。
請參照圖2,為現有技術中OLED裝置的截面圖?;?00上方設置有緩沖層106,緩沖層106上方設置有有源層103,有源層103上方鋪設一層柵極絕緣層107,柵極絕緣層107上方鋪設有柵極101,柵極101兩側絕緣地設置有源極104、漏極105,且源極104和漏極105經過貫穿柵極絕緣層107的通孔,與有源層103的一部分電連接。柵極絕緣層107上方,還包含輸電線108。在TFT上方,設置有鈍化膜109,平面膜111,平面膜111上方設置有第一電極112,第一電極112與TFT的漏極105電連接,第一電極112上方設置有像素定義層114,像素定義層114具有一個開口,開口處設置有有機層113,有機層113一般可以包含空穴傳輸層、空穴注入層、發光層、電子傳輸層、電子注入層。有機層113可以設置在像素定義層114的開口處,也可以在設置在整面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





