[發(fā)明專利]一種在堿溶液中利用飛秒激光制備黑硅的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410284079.5 | 申請日: | 2014-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN104022190B | 公開(公告)日: | 2017-02-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉世炳;孟嬌;宋海英 | 申請(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11335 | 代理人: | 王秀麗 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 溶液 利用 激光 制備 方法 | ||
1.一種在堿溶液中利用飛秒激光制備黑硅的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1,在溫度為22±1℃的條件下,配制質(zhì)量百分比為2wt%的堿溶液;
步驟2,將拋光硅片放入步驟1配置的所述堿溶液;
步驟3,用飛秒激光脈沖對所述堿溶液中放入的所述拋光硅片進行掃描處理,獲得黑硅。
2.如權(quán)利要求1所述的在堿溶液中利用飛秒激光制備黑硅的方法,其特征在于,該方法還包括步驟4:
步驟4,利用掃描探針顯微鏡觀察所述步驟3獲得的黑硅的結(jié)構(gòu),通過改變所述飛秒激光脈沖的單脈沖能量和掃描速度以及所述堿溶液的溫度獲得黑硅。
3.如權(quán)利要求1或2所述的在堿溶液中利用飛秒激光制備黑硅的方法,其特征在于,所述黑硅的表面呈現(xiàn)叢林狀。
4.如權(quán)利要求1或2所述的在堿溶液中利用飛秒激光制備黑硅的方法,其特征在于,所述飛秒激光脈沖由鈦寶石飛秒激光再生放大器產(chǎn)生。
5.如權(quán)利要求1或2所述的在堿溶液中利用飛秒激光制備黑硅的方法,其特征在于,所述堿溶液為在水中電離出的陰離子全部是氫氧根離子的物質(zhì)的水溶液。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京工業(yè)大學(xué),未經(jīng)北京工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410284079.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





