[發明專利]圖像傳感器、非晶硅TFT像素單元的讀取電路及方法有效
| 申請號: | 201410283729.4 | 申請日: | 2014-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN105208300B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發明(設計)人: | 林崴平 | 申請(專利權)人: | 上海籮箕技術有限公司 |
| 主分類號: | H04N5/335 | 分類號: | H04N5/335;H04N5/341;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區張江高*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非晶硅TFT 像素單元 讀取電路 圖像傳感器 光電二極管 運算放大器 采樣保持 第一開關 輸出信號 信噪比 電容 | ||
1.一種非晶硅TFT像素單元的讀取電路,所述非晶硅TFT像素單元包括非晶硅TFT和光電二極管,其特征在于,所述非晶硅TFT像素單元的讀取電路包括運算放大器、第一電容、第一開關、第二開關、第三開關以及采樣保持單元;其中,
所述運算放大器的第一輸入端適于輸入第一參考電壓,所述運算放大器的第二輸入端連接所述非晶硅TFT的漏極、所述第一電容的一端以及所述第一開關的第一端,所述運算放大器的輸出端連接所述第一開關的第二端、所述第三開關的第一端以及所述采樣保持單元;
所述第一電容的另一端連接所述第二開關的第一端和所述第三開關的第二端;
所述第二開關的第二端適于輸入第二參考電壓;
所述第一開關的控制端和所述第二開關的控制端適于輸入第一控制信號,所述第三開關的控制端適于輸入第二控制信號,所述第二控制信號為所述第一控制信號的反相信號;
所述采樣保持單元適于對所述運算放大器的輸出端的信號進行采樣保持處理,所述采樣保持單元包括第四開關、第五開關、第二電容以及第三電容;
在第一時刻與第二時刻之間,控制所述第一開關和所述第二開關導通,控制所述第三開關、所述第四開關、所述第五開關以及所述非晶硅TFT截止,所述第二時刻滯后于所述第一時刻;
在所述第二時刻與第三時刻之間,控制所述第三開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第四開關、所述第五開關以及所述非晶硅TFT截止,所述第三時刻滯后于所述第二時刻;
在所述第三時刻與第四時刻之間,控制所述第三開關和所述第四開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第五開關以及所述非晶硅TFT截止,所述第四時刻滯后于所述第三時刻;
在所述第四時刻與第五時刻之間,控制所述第三開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第四開關、所述第五開關以及所述非晶硅TFT截止,所述第五時刻滯后于所述第四時刻;
在所述第五時刻與第六時刻之間,控制所述第三開關和所述非晶硅TFT導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第四開關以及所述第五開關截止,所述第六時刻滯后于所述第五時刻;
在所述第六時刻與第七時刻之間,控制所述第三開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第四開關、所述第五開關以及所述非晶硅TFT截止,所述第七時刻滯后于所述第六時刻;
在所述第七時刻與第八時刻之間,控制所述第三開關和所述第五開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第四開關以及所述非晶硅TFT截止,所述第八時刻滯后于所述第七時刻;
或者,在所述第五時刻與第六時刻之間,控制所述第三開關和所述第五開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第四開關以及所述非晶硅TFT截止;
在所述第六時刻與第七時刻之間,控制所述第三開關、所述非晶硅TFT以及所述第五開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關以及所述第四開關截止;
或者,在所述第六時刻與第七時刻之間,控制所述第三開關、所述非晶硅TFT以及所述第五開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關以及所述第四開關截止;
在所述第七時刻與第八時刻之間,控制所述第三開關和所述第五開關導通,控制所述第一開關、所述第二開關、所述第四開關以及所述非晶硅TFT截止。
2.如權利要求1所述的非晶硅TFT像素單元的讀取電路,其特征在于,
所述第四開關的第一端連接所述第五開關的第一端和所述運算放大器的輸出端,所述第四開關的第二端連接所述第二電容的一端,所述第四開關的控制端適于輸入第三控制信號;
所述第五開關的第二端連接所述第三電容的一端,所述第五開關的控制端適于輸入第四控制信號;
所述第二電容的另一端和所述第三電容的另一端適于輸入參考電位。
3.如權利要求2所述的非晶硅TFT像素單元的讀取電路,其特征在于,所述參考電位為地電位。
4.如權利要求1所述的非晶硅TFT像素單元的讀取電路,其特征在于,所述第一電容為多晶硅-絕緣體-多晶硅型電容、金屬-絕緣體-金屬型電容或者金屬-氧化物-金屬型電容。
5.如權利要求1所述的非晶硅TFT像素單元的讀取電路,其特征在于,所述第一電容的電容值為1皮法至8皮法。
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