[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410283614.5
• 申請日: 2014-06-23
• 公開（公告）號: CN104091782B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李旭遠(yuǎn);成軍
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/28;H01L27/02;H01L29/417;H01L23/50
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在表層為有源層的基板上沉積用于形成源極、漏極和數(shù)據(jù)線的導(dǎo)電薄膜；

將所述導(dǎo)電薄膜的表面劃分為所述源極對應(yīng)的第一區(qū)域，所述漏極對應(yīng)的第二區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線對應(yīng)的第三區(qū)域，以及除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域以外的第四區(qū)域；將所述第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的薄膜；以及，將所述第一區(qū)域的導(dǎo)電薄膜作為所述源極，將所述第二區(qū)域的導(dǎo)電薄膜作為所述漏極，將所述第三區(qū)域的導(dǎo)電薄膜作為所述數(shù)據(jù)線。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的薄膜，包括：

在所述導(dǎo)電薄膜上涂布光刻膠，并對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理，以保留所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠，并去除所述第四區(qū)域的光刻膠；

對所述第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，使所述第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的薄膜。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜為金屬薄膜，所述對第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，使所述第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的薄膜，包括：

在形成有所述光刻膠的基板表面上產(chǎn)生氧化氣體的等離子體，使所述氧化氣體的等離子體與所述第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成不導(dǎo)電的金屬化合物薄膜；其中，所述氧化氣體包括氧氣、一氧化氮和一氧化二氮中的一種。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜為鋁薄膜，所述氧化氣體還包括氮氣。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，使所述第四區(qū)域的導(dǎo)電薄膜轉(zhuǎn)化為不導(dǎo)電的薄膜之后，還包括：

去除所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的光刻膠。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在表層為有源層的基板上沉積所述導(dǎo)電薄膜，包括：

采用濺射的方法，在表層為有源層的基板上沉積所述導(dǎo)電薄膜。

7.如權(quán)利要求1～6任一項所述的方法，其特征在于，所述有源層的材料為氧化物。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述有源層的材料包括氧化鋅、氧化銦鎵鋅、氧化銦錫鋅和氧化銦鋅鉿中的一種。

9.一種陣列基板，其特征在于，采用如權(quán)利要求1～8任一項所述的方法制作。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。