[發明專利]一種表征有機半導體器件馳豫現象的方法

無效

• 申請號: 201410283265.7
• 申請日: 2014-06-23
• 公開（公告）號: CN104049196A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 盧年端;李泠;劉明;孫鵬霄
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種表征有機半導體器件馳豫現象的方法，其特征在于，包括：

步驟1：計算有機半導體器件中載流子的躍遷速率，并選擇一種狀態密度來表示載流子的分布狀況；

步驟2：根據計算的有機半導體器件中載流子的躍遷速率和選擇的狀態密度，確定能量空間中沒有被載流子占據的空位置數；

步驟3：根據確定的能量空間中沒有被載流子占據的空位置數，確定載流子躍遷的距離；

步驟4：根據確定的載流子躍遷的距離計算有機半導體器件的電流密度，并以該電流密度來表征有機半導體器件的弛豫現象。

2.根據權利要求1所述的表征有機半導體器件馳豫現象的方法，其特征在于，步驟1中所述計算有機半導體器件中載流子的躍遷速率，包括：

在無序性的有機半導體器件中，載流子躍遷的速率v基于Miller-Abrahams表達，定義為

v＝v₀exp(-2αR_ij)???(1)

式中v₀表示聲子振動的頻率，α表示晶格常數的倒數，R_ij表示位置i和位置j的空間距離；

在電場存在的條件下，R_ij可通過下式(2)表示：

R=2αRij(1+βcosθ)+Ej-Ei,Ej>Ei-βcosθ2αRij,Ej>Ei-βcosθ,---(2)]]>

式(2)中R為載流子躍遷的距離；β＝Fe/(2αk_BT)，其中F表示電場，e為元電荷，k_B表示波爾茲曼常數，T表示溫度；θ表示躍遷方向與電場方向的夾角，θ范圍為0到π；E_i為位置i的能量，E_j為位置j的能量。