[發(fā)明專利]暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410282977.7 | 申請日： | 2014-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN104085915A | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊合情;王姣;金榮;田志霞;賈文靜;馬斕 | 申請（專利權(quán)）人： | 陜西師范大學(xué) |
| 主分類號： | C01G11/02 | 分類號： | C01G11/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安永生專利代理有限責(zé)任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 暴露 高能 001 晶面六方相 cds 納米 制備 方法 | ||
1.一種暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：將CdCl2·2.5H2O、十二硫醇加入油胺中，攪拌，在惰性氣氛下升溫至220～350℃，恒溫攪拌回流1～10小時，所述的CdCl2·2.5H2O與十二硫醇的摩爾比為1:5～200，油胺與十二硫醇的體積比為1～10:1，制備成暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：所述的CdCl2·2.5H2O與十二硫醇的摩爾比為1:80～105，油胺與十二硫醇的體積比為5～9:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：在惰性氣氛下250～300℃攪拌回流2～5小時。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：在惰性氣氛下270℃攪拌回流3小時。
5.一種暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：將CdCl2·2.5H2O加入油胺中，攪拌，在惰性氣氛下升溫至220～350℃，再加入十二硫醇，恒溫攪拌回流1～10小時，所述的CdCl2·2.5H2O與十二硫醇的摩爾比為1:5～200，油胺與十二硫醇的體積比為1～10:1，制備成暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：所述的CdCl2·2.5H2O與十二硫醇的摩爾比為1:80～105，油胺與十二硫醇的體積比為5～9:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：在惰性氣氛下250～300℃攪拌回流2～5小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的暴露高能(001)晶面六方相CdS納米片的制備方法，其特征在于：在惰性氣氛下270℃攪拌回流3小時。
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