[發(fā)明專利]用于降低待機功耗的功率轉換器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410282901.4
• 申請日: 2014-06-23
• 公開（公告）號: CN104253557B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 崔志遠;柳英起;鄭相焄;金海旭;張主先
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H02M7/537
• 分類號: H02M7/537;H02M5/458
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 姜長星;胡江海

1.一種功率轉換器，包括：

整流器，被配置為將AC功率整流為DC功率；

變壓器，被配置為通過將由整流器整流的DC功率的電壓進行轉換來輸出功率；

脈沖寬度調制(PWM)控制模塊，被配置為通過切換與變壓器連接的功率切換裝置來控制輸出功率；

第一外部開關，被配置為提供禁用信號，第一外部開關的一端連接到PWM控制模塊的VCC引腳，第一外部開關的另一端連接到PWM控制模塊的DIS引腳；

第一電容器，與第一外部開關的所述一端和地并聯(lián)連接；

第二外部開關，被配置為提供啟用信號，第二外部開關的一端連接到PWM控制模塊的所述DIS引腳，第二外部開關的另一端接地；以及

第二電容器，與第二外部開關的所述一端和地并聯(lián)連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的功率轉換器，其中，響應于第一外部開關接通，PWM控制模塊的VCC引腳和DIS引腳短路，并且在閾值以上的信號被施加到DIS引腳，功率轉換器被配置為在禁用模式下操作。

3.根據(jù)權利要求1所述的功率轉換器，其中，響應于第二外部開關接通，PWM控制模塊的DIS引腳接地，并且小于閾值的信號被施加到DIS引腳，功率轉換器被配置為在啟用模式下操作。

4.根據(jù)權利要求1所述的功率轉換器，其中，第二電容器的電容小于第一電容器的電容。

5.根據(jù)權利要求1所述的功率轉換器，其中，PWM控制模塊包括：

第一內部開關，連接在與HV引腳連接的第一功率裝置和VCC引腳之間；

第一控制器，被配置為在VCC引腳的電壓是預定值或大于預定值時斷開第一內部開關，并被配置為通過在VCC引腳的電壓小于預定值時接通第一內部開關來將HV電壓提供給VCC引腳；

禁用調節(jié)器，被配置為將VCC引腳的電壓和DIS引腳的電壓調節(jié)為預定電壓或小于預定電壓；

第一比較器，被配置為將DIS引腳的電壓與第一參考值進行比較；

第二比較器，被配置為將DIS引腳的電壓與第二參考值進行比較；

第二內部開關，連接在VCC引腳和第一比較器之間；以及

第二控制器，被配置為通過接通第二內部開關來操作第一比較器，并被配置為根據(jù)第一比較器的比較結果來控制禁用調節(jié)器和第二比較器的操作。

6.根據(jù)權利要求5所述的功率轉換器，其中，第二控制器被配置為響應于由第一比較器比較的DIS引腳的電壓是第一參考值或大于第一參考值，操作禁用調節(jié)器和第二比較器。

7.根據(jù)權利要求5所述的功率轉換器，其中，第二控制器被配置為響應于由第二比較器比較的DIS引腳的電壓小于第二參考值，停止禁用調節(jié)器的操作，并控制功率轉換器返回到啟用模式并正常地操作。

8.根據(jù)權利要求5所述的功率轉換器，其中，禁用調節(jié)器包括：

電源，與第一功率裝置串聯(lián)連接；

第二功率裝置，與電源并聯(lián)連接；

齊納二極管，與電源串聯(lián)連接，從而形成低功耗電路。

9.根據(jù)權利要求5所述的功率轉換器，其中，第一功率裝置是結柵場效應晶體管(JFET)、耗盡型MOSFET(MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管)、橫向擴散型MOSFET(LDMOSFET)或者雙擴散型MOSFET(DMOSFET)。

10.根據(jù)權利要求8所述的功率轉換器，其中，第二功率裝置是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)或者雙極結型晶體管(BJT)。

11.根據(jù)權利要求1所述的功率轉換器，其中，PWM控制模塊是單片集成電路。

12.根據(jù)權利要求1所述的功率轉換器，其中，功率切換裝置是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。