[發明專利]用于LED外延晶圓制程的石墨承載盤有效
| 申請號: | 201410281863.0 | 申請日: | 2014-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN104047051A | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 鄭錦堅;周啟倫;尋飛林;伍明躍;鄧和清;李志明;李水清 | 申請(專利權)人: | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B25/12 | 分類號: | C30B25/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361009 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 led 外延 晶圓制程 石墨 承載 | ||
1.用于LED外延晶圓制程的石墨承載盤,包括若干個設置在承載盤上方的晶圓凹槽,用于置放外延晶圓襯底,所述晶圓凹槽的內側邊緣設置有一擋板結構,且所述擋板與晶圓襯底成互補關系,二者以擋板、晶圓襯底的平邊為重合邊構成大致圓形。
2.根據權利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:在外延生長過程中,所述擋板結構能夠減少晶圓凹槽中的晶圓襯底平邊空隙位置,保證晶圓襯底平邊溫度和氣流穩定,提高外延晶圓的邊緣良率。
3.根據權利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述擋板遠離石墨承載盤中心,且所述擋板平邊中點與石墨承載盤中心的連線與平邊呈垂直關系。
4.根據權利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述擋板的形狀為月牙形或扇形。
5.根據權利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述擋板與晶圓襯底互補形成的圓形,其直徑與晶圓襯底的直徑相同。
6.根據權利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述擋板的形成方式可與晶圓凹槽一體成型,或是在形成晶圓凹槽后采用填充方式成型。
7.根據權利要求6所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述填充材料為導熱系數比石墨承載盤高的高導熱材料。
8.根據權利要求7所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述高導熱材料為石墨烯或碳化硅或鈦金屬或鎢金屬或前述任意組合。
9.根據權利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述擋板的高度低于或者等于晶圓凹槽內側邊緣的高度。
10.根據權利要求9所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述擋板的高度低于晶圓凹槽內側邊緣高度差值為0.03mm~0.5mm。
11.根據權利要求1所述的用于LED外延制程的石墨承載盤,其特征在于:所述擋板的面積占所述晶圓襯底的面積之比小于或者等于1/5。
12.一種LED外延制程的MOCVD方法,其特征在于:使用權利要求1所述的用于LED發光二極管外延制程中的石墨承載盤,以所述擋板結構減少晶圓凹槽中的晶圓襯底平邊空隙位置,保證晶圓襯底平邊溫度和氣流穩定,提高外延晶圓的邊緣良率。
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