[發(fā)明專利]光致發(fā)光測量中摻雜濃度和少數(shù)載流子壽命分離有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410281804.3 | 申請日: | 2010-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN104020148B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 托斯頓·特魯普克 | 申請(專利權)人: | BT成像股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/64 | 分類號: | G01N21/64;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司11240 | 代理人: | 余剛,張英 |
| 地址: | 澳大利亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光致發(fā)光 測量 摻雜 濃度 少數(shù) 載流子 壽命 分離 | ||
1.一種分析硅錠或硅塊的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(a)激發(fā)所述硅錠或硅塊的至少一個側面的至少一個部位,從而產(chǎn)生光致發(fā)光;
(b)獲取至少一個所述側面的所述至少一個部位所輻射出的光致發(fā)光的至少一張圖像;以及
(c)根據(jù)所述硅錠或硅塊中位錯面密度的變化對所述至少一張圖像進行解釋。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,對從所述錠或塊的不同側面得到的光致發(fā)光圖像進行分析,從而獲得隨后從所述硅錠或硅塊切割下來的晶片中位錯面密度估算值。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,采用至少一張光致發(fā)光圖像來突出顯示用于晶片生產(chǎn)的所述錠或塊中的劣質(zhì)區(qū)域。
4.一種分析硅錠或硅塊的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(a)激發(fā)所述硅錠或硅塊的至少一個側面,從而產(chǎn)生光致發(fā)光;
(b)獲取至少一個所述側面輻射出的光致發(fā)光的至少一張圖像;以及
(c)對所述至少一張圖像進行解釋,從而識別出所述錠或塊中低有效和/或體少數(shù)載流子壽命區(qū)域。
5.一種分析硅錠或硅塊的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟
(a)在不同的探測波段下,獲取所述硅錠或硅塊的至少一個側面的至少兩次光致發(fā)光測量結果;
(b)計算至少兩次所述光致發(fā)光的測量結果的強度比;以及
(c)根據(jù)預定理論關系式,將所述強度比轉換成體壽命或體擴散長度。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法,其特征在于,所述不同的探測波段由一臺或多臺電介質(zhì)濾波器產(chǎn)生,所述方法還包括以下步驟:對所述光致發(fā)光測量結果或由于所述一臺或多臺電介質(zhì)濾波器透射的角變化所導致的所述強度比進行歸一化。
7.一種分析硅錠或硅塊的方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
(a)獲取所述硅錠或硅塊的至少一個側面的具有不同激發(fā)波長的光致發(fā)光的至少兩個測量結果;
(b)計算至少兩次所述光致發(fā)光的測量結果的強度比;以及
(c)根據(jù)預定理論關系式,將所述強度比轉換為體壽命或體擴散長度。
8.根據(jù)權利要求1-7任一所述的方法,進一步包括使用光致發(fā)光測量結果或圖像作為晶片生產(chǎn)的切割導引。
9.根據(jù)權利要求1-7任一所述的方法,進一步包括使用通過所述方法獲得的信息對硅塊或硅錠的生產(chǎn)進行改進。
10.根據(jù)權利要求1-7任一所述的方法,進一步包括使用通過所述方法獲得的信息確定從所述硅錠或硅塊中得到的晶片的價格。
11.根據(jù)權利要求1-7任一所述的方法,進一步包括使用光致發(fā)光測量結果或圖像作為晶片生產(chǎn)的導引,被用于將晶片分揀入質(zhì)量箱。
12.根據(jù)權利要求1-7任一所述的方法,進一步包括使用通過所述方法獲得的信息獲取硅晶片生產(chǎn)中原料質(zhì)量的反饋。
13.一種用于分析硅錠或硅塊的系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)包括:
光探測單元,用于獲取由所述硅錠或硅塊至少一個側面產(chǎn)生的光致發(fā)光的至少一張圖像或線掃描;以及
處理器,用于根據(jù)所述硅錠或硅塊中位錯面密度的變化,對至少一張光致發(fā)光圖像或線掃描進行解釋。
14.一種用于分析硅錠或硅塊的系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)包括:
光探測單元,用于獲取由所述硅錠或硅塊至少一個側面產(chǎn)生的光致發(fā)光的至少一張圖像或線掃描;以及
處理器,用于解釋所述至少一張光致發(fā)光圖像或線掃描,從而識別在所述硅錠或硅塊中具有許多缺陷的低有效和/或體少數(shù)載流子壽命的區(qū)域。
15.一種用于分析硅錠或硅塊的系統(tǒng),其特征在于,所述系統(tǒng)包括:
光探測單元,用于在不同探測波段下,獲取所述硅錠或硅塊至少一個側面產(chǎn)生的光致發(fā)光的至少兩個測量結果;以及
處理器,用于計算至少兩個所述測量結果之間的強度比,并根據(jù)預定理論關系式,將所述強度比轉換為體壽命或體擴散長度。
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