[發明專利]多次可編程存儲器及其操作方法

有效

• 申請號: 201410281229.7
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN105206300B
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 王志剛;李弦
• 申請（專利權）人: 珠海創飛芯科技有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種多次可編程存儲器，包括若干個存儲單元，其特征在于，每個所述存儲單元至少包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均為單層浮柵晶體管，其中，所述第一MOS管的柵極、所述第二MOS管的柵極以及所述第三MOS管的柵極連接在一起，所述第一MOS管的源漏極均與第一電壓端相連，所述第二MOS管的源漏極均與第二電壓端相連，所述第三MOS管的源極或漏極連接第三電壓端，容納所述第一MOS管的阱不與所述第一電壓端連接，容納所述第二MOS管的阱不與所述第二電壓端連接；

當所述第一MOS管和所述第二MOS管為相同類型的MOS管時，第一MOS管和所述第二MOS管均為源漏穿通管；

當所述第一MOS管和所述第二MOS管中一個為PMOS管，另外一個NMOS管時，所述NMOS管為源漏穿通管。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均為PMOS管，且所述第一MOS管和所述第二MOS管位于同一阱內。

3.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一MOS管和所述第二MOS管均為NMOS管。

4.根據權利要求3所述的存儲器，其特征在于，所述第三MOS管為NMOS管，所述第三MOS管位于容納所述第一MOS管和所述第二MOS管的P阱內。

5.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一MOS管為PMOS管，所述第二MOS管為NMOS管。

6.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述第一MOS管為NMOS管，所述第二MOS管為PMOS管。

7.根據權利要求1-6任一項所述的存儲器，其特征在于，所述源漏穿通管的溝道長度小于或等于550nm。

8.根據權利要求1-6任一項所述的存儲器，其特征在于，所述源漏穿通管的溝道長度為工藝允許的最短溝道長度。

9.根據權利要求1-6任一項所述的存儲器，其特征在于，所述NMOS管為容易發生耗盡和反型的native NMOS管，所述native NMOS管與標準NMOS管相比，制作所述native NMOS管的制程中省略了調整閾值電壓的離子注入制程。

10.根據權利要求1-6任一項所述的存儲器，其特征在于，所述NMOS管為預設NMOS管，所述預設NMOS管與標準NMOS管相比，制作所述預設NMOS管的制程中不進行LDD注入和/或halo注入。

11.根據權利要求1-6任一項所述的存儲器，其特征在于，每個所述存儲單元還包括第四MOS管，所述第四MOS管為單柵MOS管，所述第四MOS管的柵極連接第四電壓端，所述第四MOS管的源極或漏極與所述第三MOS管中未與所述第三電壓端相連的源極或漏極相連。

12.根據權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述第四MOS管為NMOS管或PMOS管。

13.一種多次可編程存儲器，包括若干個存儲單元，其特征在于，每個所述存儲單元包括一個PMOS管和一個NMOS管，所述NMOS管為源漏穿通管，所述PMOS管的柵極和所述NMOS管的柵極連接在一起，所述NMOS管的源漏極均連接第一電壓端，所述PMOS管的源極連接第二電壓端，所述PMOS管的漏極連接第三電壓端，容納所述NMOS管的阱不與所述第一電壓端連接。

14.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述源漏穿通管的溝道長度小于或等于550nm。

15.根據權利要求13所述的存儲器，其特征在于，所述源漏穿通管的溝道長度為工藝允許的最短溝道長度。