[發明專利]一種電阻轉變隨機存儲器RRAM的選通電路及選通方法

有效

• 申請號: 201410281186.2
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN104051009B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 張鋒
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/26;G11C16/02
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所11302
• 代理人: 劉杰

1.一種電阻轉變隨機存儲器RRAM的選通電路，其特征在于，包括：行譯碼器、列譯碼器、第一數據選擇器以及第二數據選擇器；所述第二數據選擇器連接控制信號；所述控制信號包括：寫使能信號和讀使能信號，用于選擇存儲器的工作模式，即讀出或者寫入；所述第二數據選擇器分別與所述第一數據選擇器以及所述RRAM的外圍電路相連，用于數據的讀出或者寫入；其中，所述行譯碼器接收外部行選通地址信號，進行地址譯碼，并發送給RRAM的存儲陣列，選通一行存儲單元；所述列譯碼器接收外部列選通地址信號，進行地址譯碼，并發送給所述第一數據選擇器，選通多列存儲單元。

2.如權利要求1所述的電阻轉變隨機存儲器RRAM的選通電路，其特征在于，第一數據選擇器包括：多個數據選擇開關；所述數據選擇開關的數量與所述RRAM存儲陣列的列數相同。

3.如權利要求2所述的電阻轉變隨機存儲器RRAM的選通電路，其特征在于：所述數據選擇開關的輸入端與所述RRAM存儲陣列的行線相連；所述數據選擇開關的輸出端與所述第二數據選擇器的輸入端相連；所述數據選擇開關的控制端與所述列譯碼器的輸出端相連。

4.如權利要求3所述的電阻轉變隨機存儲器RRAM的選通電路，其特征在于，所述數據選擇開關包括：傳輸門和反相器；所述傳輸門的控制信號端以及所述反相器的輸入端相連，作為所述數據選擇開關的控制信號接入端；所述傳輸門輸入端作為所述數據選擇開關的輸入端；所述傳輸門輸出端與第二級數據選擇器相連；反相器的輸出端與傳輸門的反相時鐘相連。

5.如權利要求4所述的電阻轉變隨機存儲器RRAM的選通電路，其特征在于，所述第二數據選擇器包括：多路選擇器MUX；所述MUX的輸入端與所述第一數據選擇器的輸出端相連；所述MUX的輸出端與外圍電路相連；所述MUX的控制信號端連接所述控制信號。

6.一種電阻轉變隨機存儲器RRAM存儲空間的選通方法，基于權利要求5所述的電阻轉變隨機存儲器RRAM的選通電路；其特征在于，包括以下步驟：

電阻轉變隨機存儲器RRAM上電初始化后，行譯碼器以及列譯碼器對讀入的選通信號進行地址譯碼，生成兩路地址信號；

一路地址信號直接作用在存儲陣列上，另一路地址信號選通第一數據選擇器；

選通后的第一數據選擇器與直接作用在存儲陣列上的地址信號配合，選通存儲陣列上的一個或多個存儲單元。

7.如權利要求6所述的電阻轉變隨機存儲器RRAM存儲空間的選通方法，其特征在于，第一數據選擇器包括：N個數據選擇開關；N個所述選擇開關分成n個開關組；任一開關組的多個數據選擇開關采用統一的控制信號；n個所述開關組的控制信號各不相同。

8.如權利要求7所述的電阻轉變隨機存儲器RRAM存儲空間的選通方法，其特征在于：所述列譯碼器將待譯碼數據分段譯碼，將多段譯碼完的數據相與。