[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410281040.8
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN104022151B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設計）人: 裴軼;鄧光敏
• 申請（專利權）人: 蘇州捷芯威半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371
• 代理人: 吳開磊

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件從下到上依次包括：

襯底；

位于所述襯底上的半導體層；

位于所述半導體層上的隔離層；

位于所述隔離層上的鈍化層；

與所述半導體層接觸的源極和漏極，以及位于源極和漏極之間的柵極；

其中，所述柵極和漏極之間在靠近漏極一側的鈍化層上設有若干刻蝕所述鈍化層形成的凹槽；所述凹槽深度大于鈍化層的厚度且小于或等于鈍化層與隔離層厚度的和，其中，凹槽與漏極間的距離小于凹槽與柵極間的距離，所述鈍化層和凹槽上設有絕緣介質層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述凹槽的數目為一個或多個。

3.根據權利要求1～2中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述絕緣介質層為SiO2、SiNx、Al2O3、BCB中的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述鈍化層為GaN、AlN或SiN中的一種或多種，鈍化層用于鈍化隔離層表面缺陷。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層和隔離層的材料為InxAlyGazN，其中x+y+z＝1。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極為肖特基金屬柵極或絕緣柵柵極，柵形狀為T型柵結構、Г型柵結構、或梯形場板的柵結構。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底和半導體層之間包括成核層和/或緩沖層。

8.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成半導體層；

在所述半導體層上形成隔離層；

在所述隔離層上形成鈍化層；

形成與所述半導體層電氣相通的源極和漏極，以及在所述隔離層上形成柵極；

在柵極和漏極之間在靠近漏極一側刻蝕部分所述鈍化層形成的凹槽，其中，凹槽與漏極間的距離小于凹槽與柵極間的距離，所述鈍化層和凹槽上設有絕緣介質層。

9.根據權利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：

對凹槽底部進行表面處理，引入深能級和缺陷；

沉積絕緣材料，在鈍化層和凹槽上形成絕緣介質層。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述對凹槽底部進行表面處理包括：

在凹槽底部引入C、F、CF4、Fe中一種或多種雜質。