[發明專利]包含源自三嗪的化合物的膜以及由該膜形成的電子器件

在審

• 申請號: 201410280860.5
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN104371706A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: D.M.維爾什;K.M.科;R.D.弗洛斯
• 申請（專利權）人: 陶氏環球技術有限責任公司
• 主分類號: C09K11/06
• 分類號: C09K11/06;H01L27/28;H01L51/50;H05B33/22
• 代理公司: 北京市嘉元知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11484
• 代理人: 張永新

1.膜，其包括至少兩個層，層A和層B；且

其中層(A)由組合物A形成，所述組合物A包含至少一種有機金屬化合物、和至少一種選自下列A至C的化合物：

A)

其中，A是(CH)，x、y、w、z各自獨立地為0或4；

其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，且w＝0或4，或

其中y＝4，且x＝0，z＝0，且w＝0或4，或

其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，且w＝0或4，或

其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；且

其中R各自獨立地為C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有取代基；任選地，一組或多組“連接在相同碳原子上的兩個R基團”各自可以形成一個或多個環結構；

且其中一個或多個氫可以任選被氘代替；

B)

其中R各自獨立地為C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有取代基；任選地，一組或多組“連接在相同碳原子上的兩個R基團”各自可以形成一個或多個環結構；

且其中一個或多個氫可以任選被氘代替；或

C)A和B的組合；且

其中層B由組合物B形成，該組合物B包含至少一種“HTL化合物”；且

其中層A與層B不鄰接。

2.權利要求1的膜，其中所述至少一種化合物選自以下化合物：

其中R各自獨立地為C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有取代基；

且其中一個或多個氫可以任選被氘代替。

3.權利要求1或權利要求2的膜，其中所述化合物選自B(結構2)。

4.權利要求3的膜，其中R是C1-C20烷基。

5.權利要求3或權利要求4的膜，其中所述化合物是以下化合物：

6.權利要求1-5任一項的膜，其中組合物A的有機金屬化合物是金屬喹啉化物。

7.前述權利要求任一項的膜，其中所述膜進一步包括第三層，即層C，其由包含至少一種“HIL化合物”的組合物C形成。

8.權利要求7的膜，其中所述HIL化合物包括芳族胺。

9.包括至少一個由前述權利要求任一項的膜形成的組件的制品。

10.權利要求9的制品，其中所述制品是場致發光裝置。